"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Наносетчатые пленки из углеродных нанотрубок с Х-соединениями для электронных и фотовольтаических приложений
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120088
Совет по грантам Президента Российской Федерации , Государственная поддержка молодых российских ученых-кандидатов наук, МК-2373.2019.2
Глухова О.Е. 1,2, Слепченков М.М. 1, Асанов К.Р. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Первый государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова, Москва, Россия
Email: glukhovaoe@info.sgu.ru, slepchenkovm@mail.ru, asanov.k.93@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 февраля 2020 г.
В окончательной редакции: 3 августа 2020 г.
Принята к печати: 10 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Исследованы атомная структура, электронные и оптоэлектронные свойства наносетчатых пленок из углеродных нанотрубок с бесшовными крестообразными Х-соединениями. Установлено, что топология расположения негексагональных элементов в области контакта нанотрубок определяет энергетическую стабильность атомной структуры. Выявлено, что размеры поры пленки определяют тип проводимости. При наименьших размерах поры пленка характеризуется металлическим типом проводимости, с увеличением размера поры щель в зонной структуре увеличивается и пленка становится полупроводниковой. Пленки с минимальным размером щели имеют хорошие фотовольтаические характеристики. Фототок для рассмотренных моделей пленки может достигать 2.4 мА · см-2 в условиях атмосферы и 3.25 мА · см-2 вне атмосферы. Наличие щели в зонной структуре делает наносетчатые пленки перспективными для нано- и оптоэлектроники. Ключевые слова: наносетки, углеродные нанотрубки, спектр поглощения, электропроводность, фототок.
  1. M. Engel, J.P. Small, M. Steiner, M. Freitag, A.A. Green, M.C. Hersam, P. Avouris. ACS Nano, 2 (12), 2445 (2008)
  2. X. Li, L. Zhang, X. Wang, I. Shimoyama, X. Sun, W.S. Seo, H. Dai. J. Am. Chem. Soc., 129, 4890 (2007)
  3. R. Du, S. Ssenyange, M. Aktary, M.T. McDermott. Small, 5 (10), 1162 (2009)
  4. Y.T. Liu, T.T. Yao, W.S. Zhang, G.P. Wu. Mater. Lett., 236, 244 (2019)
  5. Z. Lin, X. Gui, Q. Gan, W. Chen, X. Cheng, M. Liu, Y. Zhu, Y. Yang, A. Cao, Z. Tang. Sci. Rep., 5, 11336 (2015)
  6. J. Shi, X. Li, H. Cheng, Z. Liu, L. Zhao, T. Yang, Z. Dai, Z. Cheng, E. Shi, L. Yang, Z. Zhang, A. Cao, H. Zhu, Y. Fang. Adv. Funct. Mater., 26, 2078 (2016).
  7. H. Zhang, Y. Fu, C. Wang, P.C. Chen, Z. Liu, W. Wei, C. Wu, M.E. Thompson, C. Zhou. Nano Lett., 11, 4852 (2011)
  8. O. Kanoun, C. Muller, A. Benchirouf, A. Sanli, T.N. Dinh, A. Al-Hamry, L. Bu, C. Gerlach, A. Bouhamed. Sensors, 14, 10042 (2014)
  9. S. Aikawa, E. Einarsson, T. Thurakitseree, S. Chiashi, E. Nishikawa, S. Maruyama. Appl. Phys. Lett., 100, 063502 (2012)
  10. L. Cai, C. Wang. Nanoscale Res. Lett., 10, 320 (2015)
  11. H.J. Jeong, H.D. Jeong, H.Y. Kim, J.S. Kim, S.Y. Jeong, J.T. Han, D.S. Bang, G.W. Lee. Adv. Funct. Mater., 21, 1526 (2011)
  12. T. Kim, M. Cho, K.J. Yu. Materials, 11, 1163 (2018)
  13. Y. Li, X. Qiu, Y. Yin, F. Yang, Q. Fan. Phys. Lett. A, 374, 1773 (2010)
  14. L. Sun, X. He, J. Lu. npj Comput. Mater., 2, 16004 (2016)
  15. L. An, X. Yang, C. Chang. IJTAN, 1 (2), 30 (2013)
  16. M. Li, X. Liu, X. Zhao, F. Yang, X. Wang, Y. Li. Top. Curr. Chem. Z, 375, 29 (2017)
  17. G. Zhang, O.E. Glukhova. Comp. Mater. Sci., 184, 109943 (2020)
  18. J. Stuart, A.B. Tutein, J.A. Harrison. J. Chem. Phys., 112, 6472 (2000)
  19. M. Elstner, D. Porezag, G. Jungnickel, J. Elsner, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Suhai, G. Seifert. Phys. Rev. B, 58, 7260 (1998)
  20. O.E. Glukhova, M.M. Slepchenkov. J. Phys. Chem. C, 120 (31), 17753 (2016)
  21. M.M. Slepchenkov, D.S. Shmygin, G. Zhang, O.E. Glukhova. Nanoscale, 11 (35), 16414 (2019)
  22. S. Datta. Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University Press, Cambridge, 1995)
  23. O.E. Glukhova, D.S. Shmygin. Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1254 (2018)
  24. H.A. Le, S.T. Ho, D.C. Nguyen, V.N. Do. J. Phys.: Condens. Matter, 26, 405304 (2014)
  25. O.E. Glukhova, I.S. Nefedov, A.S. Shalin, М.М. Slepchenkov. Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1321 (2018)
  26. Y. Zhang, L. Meng, C. Yam, G. Chen. J. Phys. Chem. Lett., 5, 1272 (2014)
  27. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2, с. 391. [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of semiconductor devices (N.Y., J. Wiley \& Sons, 1981) v. 2]
  28. M. Bernardi, M. Palummo, J. Grossman. Nano Lett., 13, 3664 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.