"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620120374
Стрельчук А.М.1, Лебедев А.А.1, Булат П.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
Email: anatoly.strelchuk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2020 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2020 г.
Принята к печати: 27 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2020 г.

Исследованы прямые и обратные вольт-амперные характеристики коммерческих выпрямительных диодов на основе барьера Шоттки к 4H-SiC в диапазоне температур 20-370oС; максимальный ток составлял 10-20 мА, максимальное напряжение 10-100 В. Установлено, что диоды можно считать близкими к идеальным с высотой барьера Шоттки ~1.5 эВ, при этом прямой ток во всем диапазоне температур, а обратный ток при высоких температурах в значительной степени обусловлены термоэлектронной эмиссией. Верхняя граница диапазона рабочих температур выпрямительных диодов Шоттки на основе 4H-SiC при исследуемых токах и напряжениях примерно соответствует фундаментальной границе, определяемой высотой барьера, и в представленном эксперименте достигает 370oC. Ключевые слова: карбид кремния, выпрямительный диод, барьер Шоттки, высокая температура.
  1. J.R. O'Connor, J. Smiltens (eds). Silicon carbide a high temperature semiconductor [Proc. Conf. on Silicon Carbide] (Pergamon Press, 1960)
  2. A.M. Strel'chuk et al. Mater. Sci. Forum, 457-460, 1133 (2004)
  3. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.