Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование наностержней GaN в монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема

DOI: 10.21883/FTP.2020.07.49508.9387

Переводная версия: 10.1134/S106378262007012X

The work was financed in the framework of the state budget agreement , 0040-2019-0012

Стовпяга Е.Ю. ¹, Курдюков Д.А.¹, Кириленко Д.А.¹, Голубев В.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: kattrof@gvg.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 3 марта 2020 г.

В окончательной редакции: 10 марта 2020 г.

Принята к печати: 10 марта 2020 г.

Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В монодисперсных сферических мезопористых частицах кремнезема (МСМЧК) посредством высокотемпературного отжига из прекурсора Ga₂O₃ синтезированы наностержни GaN диаметром от 15 до 40 нм и длиной от 50 до 150 нм. Разработана методика удаления темплата посредством травления частиц МСМЧК/GaN в HF, позволяющая получать индивидуальные наностержни GaN. Обнаружено, что размер наностержней GaN значительно превосходит размеры пор МСМЧК (диаметр ~3 нм, длина ~10 нм). Предложен возможный механизм формирования наностержней GaN и перераспределения вещества внутри композитных частиц МСМЧК/GaN посредством поверхностной диффузии молекул газообразных продуктов реакций в порах и диффузии атомов Ga и N в аморфном кремнеземе. Ключевые слова: GaN, мезопористый кремнезем, наностержни, темплатный синтез.

C.-C. Tsai, G.-H. Li, Y.-T. Lin, C.-W. Chang, P. Wadekar, Q. Y.-S. Chen, L. Rigutti, M. Tchernycheva, F.H. Julien, L.-W. Tu. Nanoscale Res. Lett., 6, 631 (2011)
D. Bimberg. Semiconductor Nanostructures (Springer, Berlin-Heidelberg, 2008)
R. Agarwal, C.M. Lieber. Appl. Phys. A, 85, 209 (2006)
C.M. Lieber, Z.L. Wang. MRS Bulletin, 32, 99 (2007)
D. Ehrentraut, E. Meissner, M. Bockowski. Technology of gallium nitride crystal growth (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2010)
K. Kishino, H. Sekiguchi, A. Kikuchi. J. Cryst. Growth, 311, 2063 (2009)
X.L. Chen, J.Y. Li, Y.G. Cao, Y. Lan, H. Li, M. He, C. Wang, Z. Zhang, Z. Qiao. Adv. Mater., 12, 1432 (2000)
J.C. Johnson, H.J. Choi, K.P. Knutsen, R.D. Schaller, P. Yang, R.J. Saykally. Nature Materials, 1, 106 (2002)
X.F. Duan, C.M. Lieber. J. Amer. Chem. Soc., 122, 188 (2000)
D.K.T. Ng, L.S. Tan, M.H. Hong. Curr. Appl. Phys., 6, 403 (2006)
K.A. Bertness, A. Roshko, L.M. Mansfield, T.E. Harvey, N.A. Sanford. J. Cryst. Growth, 300, 94 (2007)
M. Tchernycheva, C. Sartel, G. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J.-C. Harmand, L.S. Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Nanotechnology, 18, 385306 (2007)
J.-W. Jao, Y.-F. Zhang, Y.-H. Li, C. Su, X.-M. Song, H. Yan, R.-Z. Wang. Sci. Reports, 5, 17692 (2015)
G. Suo, S. Jiang, J. Zhang, J. Li, M. He. Adv. Condens. Matter. Physics, 2014, 456163 (2014)
А.Н. Семенов, Д.В. Нечаев, С.И. Трошков, А.В. Нащекин, П.Н. Брунков, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов. ФТП, 52, 1663 (2018)
H. Parala, A. Devi, W. Rogge, A. Birkner, R.A. Fischer. J. Phys. IV France, 11, 473 (2001)
C.T. Yang, M.H. Huang. J. Phys. Chem. B, 109, 17842 (2005)
K. Dimos, L. Jankovi, I.B. Koutselas, M.A. Karakassides, R. Zboril, P. Komadel. J. Phys. Chem. C, 116, 1185 (2012)
Е.Ю. Трофимова, Д.А. Курдюков, Ю.А. Кукушкина, М.А. Яговкина, В.Г. Голубев. Физика и химия стекла, 37, 38 (2011)
E.Yu. Trofimova, D.A. Kurdyukov, S.A. Yakovlev, D.A. Kirilenko, Yu.A. Kukushkina, A.V. Nashchekin, A.A. Sitnikova, M.A. Yagovkina, V.G. Golubev. Nanotechnology, 24, 155601 (2013)
Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Курдюков, Ю.А. Кукушкина, В.В. Соколов, М.А. Яговкина. Физика и химия стекла, 41, 424 (2015)
Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, А.Н. Смирнов, М.А. Яговкина, В.Ю. Григорьев, В.В. Романов, D.R. Yakovlev, В.Г. Голубев. ФТТ, 59, 1598 (2017)
Д.А. Курдюков, Д.А. Еуров, Е.Ю. Стовпяга, С.А. Яковлев, Д.А. Кириленко, В.Г. Голубев. ФТТ, 56, 995 (2014)
Д.А. Курдюков, Н.А. Феоктистов, Д.А. Кириленко, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, В.Г. Голубев. ФТП, 53, 1068 (2019)
Д.А. Курдюков, Д.А. Еуров, Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Кириленко, С.В. Коняхин, А.В. Швидченко, В.Г. Голубев. ФТТ, 58, 2454 (2016)
Е.Ю. Стовпяга, Д.А. Еуров, Д.А. Курдюков, А.Н. Смирнов, М.А. Яговкина, D.R. Yakovlev, В.Г. Голубев. ФТП, 52, 1000 (2018)
D.A. Kurdyukov, D.A. Eurov, D.A. Kirilenko, J.A. Kukushkina, V.V. Sokolov, M.A. Yagovkina, V.G. Golubev. Micro. Mesopor. Mater., 223, 225 (2016)
V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
V.Yu. Davydov, R.E. Dunin-Borkovski, V.G. Golubev, J.L. Hutchison, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, N.V. Sharenkova, J. Sloan, L.M. Sorokin. Semicond. Sci. Technol., 16, L5 (2001)
N.K. Thanh, N. Maclean, S. Mahiddine. Chem. Rev., 114, 7610 (2014)
С.И. Садовников, А.И. Гусев. ФTT, 60 (7), 1203 (2018)
Ю.М. Петров. Кластеры и малые частицы (М., Наука, 1986)
A.F. White, W. Mellvill. J. Am. Chem. Soc., 27, 373 (1905)
D. Dirtu, L. Odochian, A. Pui, I. Humelnicu. Cent. Eur. J. Chem., 4, 666 (2006)
H. Kiyono, T. Sakai, M. Takahashi, S. Shimada. J. Cryst. Growth, 312, 2823 (2010)
K. Kachel, M. Korytov, D. Gogova, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Zwierz, D. Siche, S. Golka, A. Kwasniewski, M. Schmidbauer, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun., 14, 8536 (2012)
D.-H. Kuo, W.-H. Wu. J. Electrochem. Soc., 156, K1 (2009)
R. Fornanini. Single crystals of electronic materials (Woodhead Publishing, Elsevier, 2018)
Г. Шеффер. Химические транспортные реакции (М., Мир, 1964)
G.M. Gajiev, D.A. Kurdyukov, V.V. Travnikov. Nanotechnology, 17, 5349 (2006)
A.H. van Ommen. J. Appl. Phys., 57, 15 (1985)
A.S. Grove, O. Lkistiko, Jr. Sah, C.T. Sah. J. Phys. Chem. Solids, 25, 985 (1964)
J. Kioseoglou, M. Katsikini, K. Termentzidis, I. Karakostas, E.C. Paloura. J. Appl. Phys., 121, 054301 (2017)
R. Jakiela, A. Barcz, E. Dumiszewska, A. Jagoda. Phys. Status Solidi C, 3, 1416 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель