Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гетероструктура 2D SiC/Si: электронные состояния и адсорбционная способность
Переводная версия: 10.1134/S1063782620070039 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2020 г.
В окончательной редакции: 20 февраля 2020 г.
Принята к печати: 20 февраля 2020 г.
Выставление онлайн: 8 апреля 2020 г.
Предложена модель гетероструктуры, представляющей собой монослой карбида кремния, сформированный на массивной кремниевой подложке. Рассмотрена задача об адсорбции атомов щелочных металлов и галогенов на атомах углерода и кремния поверхности гетероструктуры 2D SiC/Si. Приведены аналитические оценки перехода заряда и энергии адсорбции. Ключевые слова: двумерные гексагональные слои, полупроводниковая подложка, плотность состояний, адсорбция.
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature, 499, 419 (2013)
- G. Mukhopadhyay, H. Behera. World J. Engin., 10, 39 (2013)
- H.L. Zhuang, A.K. Singh, R.G. Hennig. Phys. Rev. B, 87, 165415 (2013)
- C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A, 2, 17971 (2014)
- И.В. Антонова. ФТП, 50, 67 (2016)
- A. Onen, D. Kecik, E. Durgun, S. Ciraci. Phys. Rev. B, 93, 085431 (2016)
- R. Roldan, L. Chirolli, E. Prada, J.A. Silva-Guillen, P. San Josea, F. Guinea. Chem. Soc. Rev., 46, 4387 (2017)
- D. Kecik, A. Onen, M. Konuk, E. Gurbuz, F. Ersan, S. Cahangirov, E. Akurk, E. Durgun, S. Ciraci. Appl. Phys. Rev., 5, 011105 (2018)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 54 (5), 446 (2020)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56, 1457 (2014)
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 513001 (2014)
- Г.В. Бенеманская, П.А. Дементьев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Тимошнев. Письма ЖТФ, 45 (5), 17 (2019)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 779 (2016)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ, 58, 1182 (2016)
- S.Yu. Davydov. In: Handbook of Graphene, V. 2: Physics, Chemistry, and Biology, ed. by T. Stauber (N. Y., Scrivener Publishing LLC, 2019) chap. 17, p.549
- С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 84 (4), 155 (2014)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 53, 706 (2019)
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983)
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 31, 2121 (1985)
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 48, 49 (2014)
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин. ФТТ, 49, 1508 (2007)
- С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013). Электронный адрес: twirpx.com/file/1596114/
- Физические величины. Справочник, под ред. Е.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
- Краткий справочник физико-химических величин, под ред. К.П. Мищенко, А.А. Равделя (Л., Химия, 1974)
- С.Ю. Давыдов, Г.И. Сабирова. Письма ЖТФ, 36, (24), 77 (2010)
- С.Ю. Давыдов. ФТП, 51, 226 (2017)
- С.Ю. Давыдов. ЖТФ, 86 (7), 145 (2016).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
