"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптимизация условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия применительно к кремниевым солнечным элементам
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарева А.Б.1, Тимофеев М.А.1
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Пленки легированного фтором оксида индия (IFO) осаждали методом ультразвукового спрей-пиродиза на структуры (pp+)Si и (n+nn+)Si из монокристаллического кремния. Исследовали влияние длительности осаждения IFO, а также длительности отжига в атмосфере аргона с парами метанола на химический состав IFO, фотонапряжение и фактор заполнения зависимостей Illumination--Uoc структур IFO/(pp+)Si, а также на слоевое сопротивление структур IFO/(n+nn+)Si, коррелирующее с сопротивлением контакта IFO/(n+)Si. Обнаруженные закономерности объяснены модификацией свойств переходного слоя SiOx на границе IFO/Si как в процессе осаждения, так и при отжиге. Анализ полученных результатов позволил оптимизировать условия изготовления солнечных элементов на основе IFO/(pp+)Si-гетероструктур и повысить их эффективность с 17% до рекордных 17.8%.
  1. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 21 st Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Dresden, 2006) p. 1199
  2. H. Kobayashi, Y.-L. Liu, Y. Yamashita, J. Ivanco, S. Imai, M. Takahashi. Sol. Energy, 80, 645 (2006)
  3. T. Nagamoto, M. Endo, O. Omoto. Jpn. J. Appl. Phys., 18, 1103 (1979)
  4. H. Kobayashi, H. Mori, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 77, 1301 (1995)
  5. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 22 nd Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Milan, 2007) p. 1641
  6. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 42, 415 (2008) [Semiconductors, 42, 406 (2008)]
  7. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 22 nd Eur. Photovolt. solar Energy Conf. (Milan, 2007) p. 600
  8. G.G. Untila, T.N. Kost, A.B. Chebotareva. Thin Sol. Films, 518, 1345 (2009)
  9. G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 23 rd Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2008) p. 704
  10. G. Untila, A. Osipov, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha, A. Pinov. Proc. 16 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Glasgow, 2000) VA1.72
  11. Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005) [Semiconductor, 39, 1346 (2005)]
  12. T. Maruyama, T. Nakai. J. Appl. Phys., 71, 2915 (1992)
  13. S.M. Rozati, T. Ganj. Renewable Energy, 29, 1665 (2004)
  14. T. Asikainen, M. Ritala, W.-M. Li, R. Lappalainen, M. Leskela. Appl. Surf. Sci., 112, 231 (1997)
  15. Z. Ning, S. Cheng, F. Huang, Y. Bian, X. Luo. Mater. Sci. Eng., B90, 196 (2002)
  16. M. Langlet. Thin Sol. Films, 389-- 399, 71 (2001)
  17. A.B. Chebotareva, G.G. Untila, T.N. Kost. Thin Sol Films, 515, 8505 (2007)
  18. R.A. Sinton, A. Cuevas. Proc. 16 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Glasgow, 2000) p. 1152
  19. J.N. Avaritsiotis, R.P. Howson. Thin Sol. Films, 80, 63 (1981)
  20. J. Shewechun, J. Dubow, C.W. Wilmsen, R. Singh, D. Burk, J.F. Wager. J. Appl. Phys., 50, 2832 (1979)
  21. H. Kobayashi, Y. Kogetsu, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phys., 74, 4756 (1993)
  22. H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
  23. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 125 [Пер. с англ.: A.L. Farenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., Academic Press, 1983)]
  24. H.P. Maruska, F.K. Ghosh, D.J. Eustace, T. Feng. J. Appl. Phys., 54, 2489 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.