"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя
Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Павлюченко А.С.1, Кукушкин М.В.2, Васильева Е.Д.2, Черняков А.Е.3, Усиков А.С.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИC", Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технический центр микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4De Core Nanosemiconductors Ltd., Gujarat, India
Поступила в редакцию: 7 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Проведено сравнение вертикальных и флип-чип светодиодных кристаллов AlGaInN с точки зрения характера растекания тока в активной области, распределения локальных температур и тепловых сопротивлений кристаллов. Были изготовлены светодиодные кристаллы AlGaInN вертикальной конструкции с использованием кремния в качестве подложки-носителя и флип-чип светодиодные кристаллы с удаленной сапфировой подложкой, также размещенные на кремниевой подкристальной плате. Активные области обоих кристаллов совпадали и составили порядка 1 мм2. Было показано, что как светимость поверхности кристалла в видимом диапазоне, так и распределение локальных температур, оцененное по излучению в инфракрасном диапазоне, более однородны в кристалах вертикальной конструкции. Теплоотвод кристаллов флип-чип конструкции недостаточен в областях n-контакта, которые не имеют хорошего теплового контакта с подкристальной платой. В итоге суммарные тепловые сопротивления между p-n-переходом и кремниевой платой как кристаллов вертикальной конструкции, так и флип-чип кристаллов составили приблизительно 1 К/Вт. При этом общая площадь кристалла флип-чип конструкции превышает площадь кристалла вертикальной конструкции в 1.4 раза.
  1. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, A.L. Zakheim, D.A. Zakheim, I.P. Smirnova, S.A. Gurevich. Proc. SPIE, 5941, 59411K-1 (2005)
  2. K.A. Bulashevich, I.Yu. Evstratov, V.F. Mymrin, S.Yu. Karpov. Physica Status Solidi C, 4,45 (2007)
  3. Jun Ho Son, Jong-Lam Lee. Proc. SPIE, 7939, 79391D (2011)
  4. Sunjung Kim. Appl. Surf. Sci., 256, 4157 (2010)
  5. W.S. Wong, T. Sands. Appl. Phys. Lett., 77, 2822 (2000)
  6. C.L. Chang, Y.C. Chuang, C.Y. Liu. Electrochem. and Sol. St. Lett., 10 (11), H344 (2007)
  7. J. Arokiaraj, Cheong Kee Leong, Vivian Lixian, Anna Marie Yong, Wang Xincai. Appl. Phys. Lett., 92, 124 105 (2008)
  8. S.C. Hsu, C.Y. Liu. Electrochem. and Sol. St. Lett., 9 (5), G171 (2006)
  9. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39, 885 (2005)
  10. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина, А.С. Павлюченко. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. " Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", СПб, 115 (2008)
  11. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, Д.А. Закгейм, Е.М. Аракчеева, М.Р. Рымалис. ФТП, 40, 1397 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.