Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020104 
Министерство образования и науки РФ.Российско-Армянский университет, Ереван, Армения, Армяно-Российское сотрудничество, -
1Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения 
2Российско-Армянский университет, Ереван, Армения
2Российско-Армянский университет, Ереван, Армения
Email: ekafadaryan@gmail.com, natella_aghamalyan@yahoo.com, ruben.hovsepyan@gmail.com, spetrosyan8@gmail.com, gbadalyan@mail.ru, ira@ipr.am, arman.pap@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
С помощью метода электронно-лучевого напыления получены прозрачные поверхностно-гидрированные пленки оксида лантана (OH-La2O3) толщиной 40, 140 и 545 нм. Исследованы электрические и оптические характеристики структур Al/OH-La2O3/p-Si, где в качестве верхнего и нижнего электродов использовали соответственно алюминий и кремниевую подложку с p-типом проводимости. Обнаружена область отрицательной дифференциальной проводимости на зависимостях проводимости от напряжения при прямом смещении; возможный механизм отрицательной дифференциальной проводимости объясняется переносом протонов по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями на поверхности пленки OH-La2O3. Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость, OH-La2O3, протонная проводимость.
- C.H. Hsu, M.T. Wang, J. Ya-Min Lee. J. Appl. Phys., 100, 074108 (2006)
- K. Xiong, J. Robertson. Appl. Phys. Lett., 95, 022903 (2009)
- Y. Wang, R. Jia, C. Li, Y. Zhang. AIP Adv., 5, 087166 (2015)
- M. Gutowski, J.E. Jaffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R.I. Hegde, R.S. Rai, P.J. Tobin. Appl. Phys. Lett., 80, 1897 (2002)
- Liu Qi-Ya, Fang Ze-Bo, Ji Ting, Liu Shi-Yan, Tan Yong-Sheng, Chen Jia-Jun, Zhu Yan-Yan. Chin. Phys. Lett., 31, 027702 (2014)
- C. Yang, H. Fan, Sh. Qiu, Y. Xi, Y. Fu. Surf. Rev. Lett., 15, 271 (2008)
- Lin Chen, Wen Yang, Ye Li, Qing-Qing Sun, Peng Zhou, Hong-Liang Lu, Shi-Jin Ding, D. Wei Zhang. J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A148 (2012)
- H. Zhao, H. Tu, H.F. Wei, Y. Xiong, X. Zhang, J. Du. Phys. Status Solidi (RRL), 7, 1005 (2013)
- Y. Zhao, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi. Appl. Phys. Lett., 88, 072904 (2006)
- A. Igityan, N. Aghamalyan, S. Petrosyan, I. Gambaryan, G. Badalyan, R. Hovsepyan, Y. Kafadaryan. Appl. Phys. A, 123, 448 (2017)
- A.v S. Vuk, R. Jev se, B. Orel, G. Drav zic. IJP, 7, 163 (2005)
- L. Esaki. Phys. Rev., 109, 603 (1958)
- J. Chen, M.A. Reed, A.M. Rawlett, J.M. Tour. Science, 286, 1550 (1999)
- N.A. Zimbovskaya, M.R. Pederson. Phys. Rev. B, 78, 153105 (2008)
- Q. Tang, H.K. Moon, Y. Lee, S.M. Yoon, H.J. Song, H. Lim, H.C. Choi. J. Am. Chem. Soc., 129, 11018 (2007)
- H.K. Lee, M.H.C. Jin. Appl. Phys. Lett., 97, 013306 (2010)
- D. Joung, L. Anjia, H. Matsui, S.I. Khondaker. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process, 112, 305 (2013)
- Song Hi Lee, Jayendran C. Rasaiah. J. Chem. Phys., 135, 124505 (2011)
- Takeo Miyake, Marco Rolandi. J. Phys.: Condens. Matter, 28, 023001 (2016)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N.Y., 1969)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
- M.A. Lampert. Phys. Rev., 103, 1648 (1956)
- Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
