"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отрицательная дифференциальная проводимость структур на основе оксида лантана
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020104
Министерство образования и науки РФ.Российско-Армянский университет, Ереван, Армения, Армяно-Российское сотрудничество, -
Игитян А.1,2, Агамалян Н.1,2, Овсепян Р.1,2, Петросян С.1,2, Бадалян Г.1, Гамбарян И.1, Папикян А.2, Кафадарян Е.1,2
1Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения
2Российско-Армянский университет, Ереван, Армения
Email: ekafadaryan@gmail.com, natella_aghamalyan@yahoo.com, ruben.hovsepyan@gmail.com, spetrosyan8@gmail.com, gbadalyan@mail.ru, ira@ipr.am, arman.pap@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

С помощью метода электронно-лучевого напыления получены прозрачные поверхностно-гидрированные пленки оксида лантана (OH-La2O3) толщиной 40, 140 и 545 нм. Исследованы электрические и оптические характеристики структур Al/OH-La2O3/p-Si, где в качестве верхнего и нижнего электродов использовали соответственно алюминий и кремниевую подложку с p-типом проводимости. Обнаружена область отрицательной дифференциальной проводимости на зависимостях проводимости от напряжения при прямом смещении; возможный механизм отрицательной дифференциальной проводимости объясняется переносом протонов по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями на поверхности пленки OH-La2O3. Ключевые слова: отрицательная дифференциальная проводимость, OH-La2O3, протонная проводимость.
  1. C.H. Hsu, M.T. Wang, J. Ya-Min Lee. J. Appl. Phys., 100, 074108 (2006)
  2. K. Xiong, J. Robertson. Appl. Phys. Lett., 95, 022903 (2009)
  3. Y. Wang, R. Jia, C. Li, Y. Zhang. AIP Adv., 5, 087166 (2015)
  4. M. Gutowski, J.E. Jaffe, C.-L. Liu, M. Stoker, R.I. Hegde, R.S. Rai, P.J. Tobin. Appl. Phys. Lett., 80, 1897 (2002)
  5. Liu Qi-Ya, Fang Ze-Bo, Ji Ting, Liu Shi-Yan, Tan Yong-Sheng, Chen Jia-Jun, Zhu Yan-Yan. Chin. Phys. Lett., 31, 027702 (2014)
  6. C. Yang, H. Fan, Sh. Qiu, Y. Xi, Y. Fu. Surf. Rev. Lett., 15, 271 (2008)
  7. Lin Chen, Wen Yang, Ye Li, Qing-Qing Sun, Peng Zhou, Hong-Liang Lu, Shi-Jin Ding, D. Wei Zhang. J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A148 (2012)
  8. H. Zhao, H. Tu, H.F. Wei, Y. Xiong, X. Zhang, J. Du. Phys. Status Solidi (RRL), 7, 1005 (2013)
  9. Y. Zhao, M. Toyama, K. Kita, K. Kyuno, A. Toriumi. Appl. Phys. Lett., 88, 072904 (2006)
  10. A. Igityan, N. Aghamalyan, S. Petrosyan, I. Gambaryan, G. Badalyan, R. Hovsepyan, Y. Kafadaryan. Appl. Phys. A, 123, 448 (2017)
  11. A.v S. Vuk, R. Jev se, B. Orel, G. Drav zic. IJP, 7, 163 (2005)
  12. L. Esaki. Phys. Rev., 109, 603 (1958)
  13. J. Chen, M.A. Reed, A.M. Rawlett, J.M. Tour. Science, 286, 1550 (1999)
  14. N.A. Zimbovskaya, M.R. Pederson. Phys. Rev. B, 78, 153105 (2008)
  15. Q. Tang, H.K. Moon, Y. Lee, S.M. Yoon, H.J. Song, H. Lim, H.C. Choi. J. Am. Chem. Soc., 129, 11018 (2007)
  16. H.K. Lee, M.H.C. Jin. Appl. Phys. Lett., 97, 013306 (2010)
  17. D. Joung, L. Anjia, H. Matsui, S.I. Khondaker. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process, 112, 305 (2013)
  18. Song Hi Lee, Jayendran C. Rasaiah. J. Chem. Phys., 135, 124505 (2011)
  19. Takeo Miyake, Marco Rolandi. J. Phys.: Condens. Matter, 28, 023001 (2016)
  20. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N.Y., 1969)
  21. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41, 1281 (2007)
  22. M.A. Lampert. Phys. Rev., 103, 1648 (1956)
  23. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.