Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Теплопроводность твердых растворов Cu₂ZnGe_1-xSn_xSe₄

DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48888.9265

Переводная версия: 10.1134/S1063782620020050

Боднарь И.В.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Email: chemzav@bsuir.by

Поступила в редакцию: 24 сентября 2019 г.

Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом Бриджмена (вертикальный вариант) выращены кристаллы соединений Cu₂ZnGeSe₄, Cu₂ZnSnSe₄ и твердых растворов Cu₂ZnGe_1-xSn_xSe₄, определен состав и структура полученных кристаллов. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в тетрагональной структуре. Рассчитаны параметры элементарной ячейки a и c указанных кристаллов и построены их концентрационные зависимости. Показано, что изменение параметров a и c с составом x осуществляется в соответствии с законом Вегарда. В интервале температур 300-600 K измерена теплопроводность соединений Cu₂ZnGeSe₄, Cu₂ZnSnSe₄ и твердых растворов Cu₂ZnGe_1-xSn_xSe₄. Установлено, что теплопроводность с составом х изменяется с минимумом для среднего состава. Ключевые слова: кристаллы, метод Бриджмена, твердые растворы, закон Вегарда, структура, теплопроводность.

I. Repins, C. Beall, N. Vora, C. De Hart, D. Kusiauskas, P. Dippo, B. To, J. Mann, W-Ch. Hsu, A. Goodrich, R. Noufi. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 101, 154 (2012)
C. Persson. J. Appl. Phys., 107, 053710, (2010)
G.S. Babu, P.U. Bhaskar, Y.B.K. Kumar, V.S. Raja. Thin Sol. Films, 534, 249 (2013)
S. Levchenko, R. Caballero, L. Dermenji, E.V. Telesh, I.A. Victorov, J.M. Merino, E. Arushanov, M. Leon, I.V. Bodnar. Optical Mater., 40, 76 (2015)
D.-J. Xue, F. Jiao, H.-J.Yan, W. Xu, D. Zhu, Yu-G. Guo, L.J. Wan. Chem. Asian J., 8, 2383 (2013)
M. Ibanez, R. Zamani, R. LaLonde, D. Cadavid, Li W. Shavel, J. Arbiol, J.R. Morante, S. Gorsse, G.J. Snyder, A. Cabot, J. Am. Chem. Soc., 134, 4060 (2012)
R.A. Wibowo, W.H. Jung, K.H. Kim. J. Phys. Chem. Sol., 71, 1702 (2010)
Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель