Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Спектры пленок SmS в дальней и средней ИК областях

DOI: 10.21883/FTP.2019.11.48452.9163

Переводная версия: 10.1134/S1063782619110216

Улашкевич Ю.В.¹, Каминский В.В.¹, Соловьев С.М.¹, Шаренкова Н.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: vladimir.kaminski@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 20 мая 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Основные особенности зонной структуры, выявленные на объемных образцах, сохраняются в тонких поликристаллических пленках SmS: дно зоны проводимости образовано состояниями s-типа, на расстоянии 0.04-0.065 эВ от дна зоны проводимости в запрещенной зоне имеются примесные донорные уровни. Ключевые слова: поликристаллические пленки сульфида самария, дальняя и средняя ИК области, зонная структура.

В.В. Каминский, А.А. Молодых, С.М. Соловьев, А.А. Виноградов, Н.М. Володин. Патент РФ на изобретение N 2564698. Дата выдачи 09.09.2015. Бюл. N 28
В.М. Егоров, В.В. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, А.В. Голубков. Письма ЖТФ, 41, 50 (2015)
С.А. Казаков, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. Научное приборостроение, 25, 116 (2015)
Л.Н. Глурджидзе, А.В. Гигинеишвили, Т.Л. Бжалава, З.У. Джабуа, Т.А. Пагава, В.В. Самадзе, В.С. Оскотский. ФТТ, 20, 2727 (1978)
Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова. ФТТ, 38, 779 (1996)
Ю.Д. Ягодкин, С.В. Добаткин. Завод. лаб. Диагностика матер., 73 (1), 38 (2007)
V. Zelezny, J. Petzelt, V.V. Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Sol. St. Commun., 72, 43 (1989)
Ю.В. Улашкевич, В.В. Каминский, М.М. Казанин. ФТТ, 54, 2066 (2012)
В.С. Оскотский, И.А. Смирнов. В сб.: Редкоземельные полупроводники (Л., Наука, 1977) с. 205
А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов (Л., Наука, 1973)
А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.А. Капустин, М.В. Романова, И.А. Смирнов. ФТТ, 22, 3561, (1980)
В.В. Каминский, А.В. Голубков, Л.Н. Васильев. ФТТ, 44, 1501 (2002)
Ю.В. Улашкевич, В.В. Каминский, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова. ФТП, 52, 184 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель