Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5, легированного примесью EuF3
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110071 
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Университет Хазар, Баку, Азербайджан
2Университет Хазар, Баку, Азербайджан
Email: sqaribova@rambler.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света изучена локальная структура пленочных образцов халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5 и Se95As5(EuF3)x (x=0.01-1 ат%). Определены квазипериод" структуры, длина корреляции, структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу исследованных материалов. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках пустотно-кластерной модели Эллиота с учетом химической активности ионов европия. Ключевые слова: рентгеновская дифракция, рамановская спектроскопия, некристаллические полупроводники, локальная структура, неупорядоченность.
- A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 1, 330 (2003)
- J. Sanghera, I. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 6, 256 (1999)
- I. Aggarwal, J. Sanghera. J. Optoelectron. Adv. Mater., 4, 665 (2002)
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials (Clarendon-Press, Oxford, 1971)
- R.I. Alekberov, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, G.A. Isayeva. Azerbaijan J. Phys., 19, 3 (2013)
- R.I. Alekberov, S.I. Mekhtiyeva, A.I. Isayev, M. Fabian. J. Non-Cryst. Sol., 470, 152 (2017)
- R.I. Alekberov, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, G.A. Isayeva. Chalcogenide Lett., 10, 335 (2013)
- J.P. Neufoile, S.C. Moss, S.R. Ovshinsky. J. Non-Cryst. Sol., 13, 191 (1973)
- L.E. Busse, S.R. Nagel. Phys. Rev. Lett., 47, 1848 (1981)
- L.E. Busse. Phys. Rev. B, 29, 3639 (1981)
- K. Tanaka. Phil. Mag. Lett., 57, 183 (1988)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под. ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- S.R. Elliott. Phys. Rev. Lett., 67, 711 (1991)
- S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 182, 40 (1995)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk, V.T. Boyko. J. Phys. Chem. Solids, 68, 712 (2007)
- T.S. Kavetskyy, O.I. Shpotyuk. J. Optoelectron. Adv. Mater., 7, 2267 (2007)
- O.I. Shpotyuk, A. Kozdras, T.S. Kavetskyy, J. Filipecki. J. Non-Cryst. Sol., 352, 700 (2006)
- O.P. Rachek. J. Non-Cryst. Sol., 352, 3781 (2006)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, В.З. Зейналов. ФТП, 45 (8), 1026 (2011)
- S.R. Elliott. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 7661 (1992)
- V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 88, 326 (2003)
- V.I. Mikla. J. Phys.: Condens. Matter, 9, 9209 (1997)
- W. Bues, M. Somer, W. Brockner. Z. Naturforsch., B, 35, 1063 (1980)
- C. Zha, R. Wang, A. Smith, A. Prasad, R.A. Jarvis, B. Luther-Davies. J. Mater Sci.: Mater. Electron., 18 389 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
