"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cтруктура и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Ge-Se
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110083
Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Мамедова Х.И.1, Алекберов Р.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: physics.humay@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 февраля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Методом исследования спектров комбинационного рассеяния и пропускания, а также измерением плотности определены виды структурных элементов и химических связей, образующих аморфную матрицу халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Ge-Se, и изменения, происходящие в них в зависимости от химического состава. Показано, что с ростом содержания мышьяка и германия в исследованной системе происходит переход из упругого состояния в изостатическое и далее в напряженно - жесткое. Наблюдаемые изменения в спектрах комбинационного рассеяния и особенности зависимостей оптических и других параметров от химического состава объяснены в рамках модели химического упорядочения, с учетом существования локальных состояний вблизи границы разрешенных зон. Ключевые слова: когезионная энергия, плотность упаковки, энергия связи.
  1. Zakery, S. Elliontt. J. Non-Cryst. Sol., 330 (1), 1 (2003)
  2. J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256--257, 6 (1999)
  3. Yan Yang, Zhiyong Yang, Pierrel Lucas, Yuwei Wang, Zhijie Yang, Anping Yang, Bin Zhang, Haizheng Tao. J. Non-Cryst. Sol., 440, 38 (2016)
  4. S.I. Mekhtiyeva, A.I. Isayev, M. Fabian, R.I. Alekberov. J. Non-Cryst. Sol., 470 (15), 152 (2017)
  5. J.C. Phillips. J. Non-Cryst. Sol., 34, 153 (1979)
  6. C. Phillips, M.F. Thorpe. Sol. St. Commun., 53, 699 (1985)
  7. P. Boolchand, X. Feng, W.J. Bresser. J. Non-Cryst. Sol., 293--295, 348 (2001)
  8. D.G. Georgiev, P. Boolchand, M. Micoulaut. Phys. Rev. B, 62, R9228 (2000)
  9. Z.U. Borisova. Glassy Semiconductors (Plenum Press, N.Y., 1981)
  10. L. Tichy, H. Ticha. Mater. Lett., 21, 313 (1991)
  11. V.S. Vassilev, Z.G. Ivanova, L. Aljihmani, E. Cernoskova, Z. Cernosek. Mater. Lett., 59, 85 (2005)
  12. C. Zha, R. Wang, A. Smith, A. Prasad, R.A. Jarvis, B. Luther-Davies. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 18, 389 (2007)
  13. Р.И. Алекберов, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева. ФТП, 48 (6), 818 (2014)
  14. V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 88 (2003)
  15. P. Nv emec, B. Frumarova, M. Frumar. J. Non-Cryst. Sol., 270, 137 (2000)
  16. J. Bicerano, S.R. Ovshinsky. J. Non-Cryst. Sol., 74 (1), 75 (1985)
  17. S.R. Elliot. Physics of Amorphous Solids (Longman Inc., N.Y., 1984)
  18. G. Saffarini, J. Matthiesenm, R. Blachhnik. Physica B, 305, 293 (2001)
  19. A.V. Stronski, M. Vlceka, M.V. Sopinskyy. Chalcogenide Lett., 2 (11), 111 (2005)
  20. P. Tronc, M. Bensoussan, A. Brenac. Phys. Rev. B, 8, 5947 (1973)
  21. P. Nv emec, S. Zhang, V. Nazabal, K. Fedus, G. Boudebs, A. Moreac, M. Cathelinaud, X. H. Zhang. Opt. Express, 18, 22944 (2010)
  22. V.Q. Nguen, J.S. Sanghera, J.A. Freitas, I.D. Aggrawal, I.K. Lloyd. J. Non-Cryst. Sol., 248, 103 (1999)
  23. M. Oliver, J.C. Tchahame, P. Nv emec, M. Chauvet, V. Besse, C.G. Boudebs, G. Renversez, R. Boidin, E. Baudet, V. Nazabal. Mater. Express, 4, 525 (2014)
  24. N. Mateleshko, V. Mitsa, M. Veres, M. Koos, A. Stronski. Semiconductor Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 7, 171 (2004)
  25. J. Tauc. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 569 (1972)
  26. E.A. Davis, N.F. Mott. Phil. Mag., 22, 903 (1972)
  27. J. Tauc. Amorphous and Liquid Semiconductors (Plenum Press, N.Y., 1974)
  28. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
  29. K. Shimakawa. J. Non-Cryst. Sol., 43, 229 (1981)
  30. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  31. M. Kastner. Phys. Rev. Lett., 28, 355 (1972)
  32. V. Pamukchieva, A. Szekeres, K. Todorova, M. Fabian, E. Svab, Zs. Revay, L. Szentmiklosi. J. Non-Cryst. Sol., 325, 2485 (2009)
  33. L. Pauling. The Nature of the Chemical Bond (Cornell University Press, Ithaca, N.Y., 1960)
  34. L. Tichy, H. Ticha. J. Non-Cryst. Sol., 189, 141 (1995)
  35. A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, R.I. Alekperov, N.Z. Jalilov. Sol. St. Commun., 149 (1--2), 45 (2009)
  36. С.И. Мехтиева, Д.Ш. Абдинов. Развитие физики селена (Баку, Элм, 2000)
  37. D.G. Georgiev, P. Boolchand, H. Eckert, M. Micoulaut, K.A Jackson. Europhys. Lett., 62, 49 (2003)
  38. Y. Wang, J. Wells, D.G. Georgiev, P. Boolchand, K. Jackson, M. Micoulaut. Phys. Rev. Lett., 87, 185503 (2001)
  39. J.C. Phillips. Phys. Rev. Lett., 88, 216401 (2002)
  40. M.F. Thorpe, D.J. Jacobs, M.V. Chubynski, J.C. Phillips. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 859 (2000)
  41. M. Micoulaut, J.C. Phillips. Phys. Rev. B, 67, 104204 (2003)
  42. G. Saffarini, J.M. Saiter. Chalcogenide Lett., 3 (6), 49 (2006)
  43. K. Tanaka. Phys. Rev. B, 39, 1270 (1989)
  44. Tao Qu, D.G. Georgiev, P. Boolchand, M. Micoulant. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 754, CC8.1.1-CC8.1.12 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.