Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя
Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Показано, что измерение поля электрического пробоя Enp в классически сильном магнитном поле (H) при T=4.2 K позволяет определять величину степени компенсации K в чистом германии с K<50% значительно точнее, чем при H=0. Введен параметр S=Enp/H и рассчитана его зависимость S =f(K), полученная кривая позволяет определить K, если известны H и Enp. Для уменьшения сопротивления образцов рекомендуется проводить измерения при наличии примесной подсветки. Показано, что при малых интенсивностях такого возбуждения величина Enp не меняется. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44197.8315
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.Р. Гринберг. ФТП, 5, 155 (1971)
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7, 1972 (1973)
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, Ю.А. Гурвич. ФТП, 10, 452 (1976)
- В.Ф. Банная, Е.М. Гершензон, Л.И. Веселова. ФТП, 13, 46 (1979)
- В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 10, 338 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
