Вышедшие номера
Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии
Минобрнауки России, 14.В25.310017
Высотский Н.В.1, Лошаченко A.С. 1, Вывенко О.Ф. 1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: mrdestroyed@yandex.ru, loshachenko@nano.spbu.ru, vyvenko@nano.spbu.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Исследовалось влияние введения водорода на колебательные спектры и электрофизические свойства образцов с дислокационными сетками (ДС) на интерфейсе сращенных пластин кремния. Для увеличения чувствительности измерений и выделения сигнала ДС в спектрах комбинационного рассеяния использовались образцы в виде стандартных тонких фольг, применяемых в просвечивающей электронной микроскопии. В образцах с дислокационными сетками был зарегистрирован пик комбинационного рассеяния 2000 см-1, который сохранялся после отжига при T=500oC и не наблюдался в контрольных образцах. Сопоставление экспериментальных данных с имеющимися теоретическими расчетами позволило приписать обнаруженный пик к H0 в центре Si-Si связи, который является метастабильным в идеальной решетке, но стабилизируется в окрестности дислокации. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44198.8378