Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD)

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44199.8399

Козловский В.В.¹, Лебедев А.А.², Стрельчук А.М.², Давыдовская К.С.², Васильев А.Э.¹, Макаренко Л.Ф.³

¹Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь Belarusian State University, Minsk, Republic of Belarus

Email: kozlovski@physics.spbstu.ru

Поступила в редакцию: 7 сентября 2016 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев n-4H-SiC (CVD) при его облучении электронами с энергиями 0.9 и 3.5 МэВ. Показано, что скорость удаления доноров увеличивается почти в 4 раза с ростом энергии бомбардирующих электронов в 4 раза, хотя сечение образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля в подрешетке углерода), ответственных за компенсацию проводимости материала, в этом диапазоне практически не зависит от энергии. Предположено, что причиной наблюдаемых различий является влияние первично выбитых атомов. Во-первых, с ростом энергии первично выбитых атомов начинают сказываться каскадные процессы. Во-вторых, увеличивается среднее расстояние между генетически родственными парами Френкеля и как следствие увеличивается доля не рекомбинирующих при облучении дефектов. Проведены оценки радиуса рекомбинации пары Френкеля в подрешетке углерода и возможного зарядового состояния рекомбинирующих компонент. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44199.8399

J. Lutz, H. Schlangenotto, U. Scheuermann, Rik De Doncker. Semiconductor Power Devices Physics. Characteristics, Reliability (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2011)
В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
L.F. Zakharenkov, V.V.Kozlovski, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi A, 117, 85 (1990)
C. Claeys, E. Simoen. Radiation Effects in advanced semiconductor materials and devices (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 2002)
A. Holmes-Siedle, L. Adams. Handbook of radiation effects (Oxford, Oxford University, 1993)
V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering (World Scientific, 2005)
W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf. Ser., 31, 58 (1977)
V.V. Kozlovski, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, A.A. Lebedev, V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin. Physica B, 404, 4752 (2009)
A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, F. Nava, S. Ferrero, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 98, 053706 (2005)
В.В. Козловский, В.В. Емцев, К.В. Емцев, Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, В.Н. Ломасов, Г.А. Оганесян, А.А. Лебедев. ФТП, 42, 243 (2008)
J.W. Steeds, F. Carosella, G.A. Evans, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli. Mater. Sci. Forum, 353- 356, 381 (2001)
J.W. Steeds, G.A. Evans, S. Furkert, M.M. Ismail, L.R. Danks, W. Voegeli, F. Carosella. Diamond Relat. Mater., 11, 1923 (2002)
H. Kaneko, T. Kimoto. Appl. Phys. Lett., 98, 262106 (2011)
V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015)
http://cree.com/
W.A. MacKinley, H. Feshbach. Phys. Rev., 74, 1759 (1948)
G.J. Dienes, G.H. Vineyard. Radiation Effects in Solids (Interscience Publishers, N. Y., 1957)
G.H. Kinchin, R.S. Pease. Rep. Prog. Phys., 18, 1 (1955)
J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon, N. Y., 1985)
http://www.srim.org
А.М. Иванов, И.Н. Ильяшенко, Н.Б. Строкан, Б. Шмидт. ФТП, 29, 543 (1995)
В.В. Емцев, Т.В. Машовец, В.В. Михнович. ФТП, 26, 22 (1992)
A. Nylandsted Larsen, A. Mesli. Electron and Proton Irradiation of Silicon. Chap. 2. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera and Ch. Jagadish [Ser. Semiconductors and Semimetals, vol. 91] (Elsevier, 2015) p. 47
M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN,InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc., 2001)
N. Iwamoto, B.G. Svensson. Point Defects in Silicon Carbide. Chap. 10. In: Defects in Semiconductors, ed. by L. Romano, V. Privitera and Ch. Jagadish [Ser. Semiconductors and Semimetals, vol. 91] (Elsevier, 2015) p. 369

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель