Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аномальная термоэдс в кристаллах Hg3In2Te6
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина 
Email: legru@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
На основе данных по коэффициенту Холла показана возможность существования потенциальных барьеров в области примесной проводимости сильно компенсированных кристаллов Hg3In2Te6. Дано качественное обсуждение роли барьеров в аномальном характере явлений переноса. Экстремально высокие значения термоэдс объясняются сложением термоэдс контактных разностей потенциалов между областями с различной концентрацией электронов.
- А.И. Малик, Г. Г. Грушка. ЖТФ, 60 (10), 188 (1990)
- О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП, 46 (3), 327 (2012)
- О.Г. Грушка, А.И. Савчук, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук. ФТП, 48 (10), 1307 (2014)
- Б.И.Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
- С.А. Алиев, Ф.Ф. Алиев, З.С. Гасапов, С.М. Абдуллаев, Р.И. Селим-заде. ФТП, 44 (6), 764 (2010)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 60 (2), 867 (1971)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ФТП, 14 (5), 825 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
