Методом ионно-лучевого испарения при температурах подложки 313 и 623 K получены пленки соединения In₂Sе₃. В качестве мишени использовались монокристаллы указанного соединения, выращенные вертикальным методом Бриджмена. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав, рентгеновским методом - структура полученных кристаллов и пленок. Установлено, что как кристаллы, так и пленки кристаллизуются в гексагональной структуре. По спектрам пропускания и отражения определены значения ширины запрещенной зоны пленок In₂Sе₃, а также показателя преломления. Установлено, что с ростом температуры подложки ширина запрещенной зоны увеличивается.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.