"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние квантовых точек селенида кадмия на проводимость и фотопроводимость нанокристаллического оксида индия
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 15-03-03026
Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере, УМНИК, 0020176
Ильин А.С. 1,2,3, Фантина Н.П.1, Мартышов М.Н. 1,2, Форш П.А. 1,2, Чижов А.С. 4, Румянцева М.Н. 4, Гаськов А.М. 4, Кашкаров П.К. 1,2,3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская область, Россия
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Email: as.ilin@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Исследовано влияние квантовых точек селенида кадмия на электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия с размером нанокристаллов от 7 до 40 нм. Методами импедансной спектроскопии показано, что добавление квантовых точек оказывает значительное влияние на сопротивление границ между кристаллами In2O3. Обнаружено изменение характера спектральной фотопроводимости оксида индия при добавлении квантовых точек CdSe, а также установлено, как это изменение зависит от размеров нанокристаллов In2O3. Предложена энергетическая зонная диаграмма, объясняющая наблюдаемое изменение спектральной зависимости фотопроводимости In2O3 при добавлении квантовых точек CdSe.
  1. G. Eranna, B.C. Joshi, D.P. Runthala, R.P. Gupta. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 29, 3 (2004)
  2. A. Ayeshamariam, M Bououdina, C. Sanjeeviraja. Mater. Sci. Semicond. Process., 16, 686 (2013)
  3. G. Korotcenkov. Mater. Sci. Eng. B Solid-State Mater. Adv. Technol., 139, 1 (2007)
  4. А.С. Ильин, Н.П. Фантина, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, А.С. Воронцов, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Письма в ЖТФ, 41, 97 (2015)
  5. D. Zhang, C. Li, S. Han, X. Liu, T. Tang, W. Jin, C. Zhou. Appl. Phys. A., 77, 163 (2003)
  6. P. Erhart, A. Klein, R. Egdell, K. Albe. Phys. Rev. B., 75, 153 205 (2007)
  7. O. Bierwagen. Semicond. Sci. Technol., 30, 024 001 (2015)
  8. B. Carlson, K. Leschkies, E.S. Aydil, X.-Y.Y. Zhu. J. Phys. Chem. C., 112, 8419 (2008)
  9. V. Chakrapani, K. Tvrdy, P.V. Kamat. J. Am. Chem. Soc., 132, 1228 (2010)
  10. C. Nasr, P.V. Kamat, S. Hotchandani. J. Electroanal. Chem., 420, 201 (1997)
  11. Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Рос. нанотехнологии, 7 (4), 164 (2012)
  12. Xiaoqing Wang, Maofeng Zhang, Jinyun Liu, Tao Luo, Yitai Qian. Sensors Actuators, B, 137, 103 (2009)
  13. E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, M.N. Martyshov, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 558, 320 (2014)
  14. Evgenij Barsoukov, J. Ross Macdonald. Impedance Spectroscopy Theory, Experiment, and Applications. John Wiley \& Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2005)
  15. П.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 40, 476 (2006)
  16. P.A. Forsh, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Semiconductors, 38, 603 (2004)
  17. Kevin Tvrdy, P.A. Frantsuzov, Prashant V. Kamat. PNAS, 108 (1), 29 (2011)
  18. A. Klein. Appl. Phys. Lett., 77, 2009 (2000)
  19. И.А. Акимов, Ю.А. Черкасов, М.И. Черкашин. Cенсибилизированный фотоэффект (М., Наука, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.