"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм
Егоров А.Ю.1,2,3, Карачинский Л.Я.1,2,3, Новиков И.И.1,2,3, Бабичев А.В.1,2,3, Неведомский В.Н.1, Бугров В.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: anton@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Показана возможность создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм. Исследованы структурные и оптические свойства методами рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции. Проведeнный сравнительный анализ интегральной интенсивности фотолюминесценции созданных гетероструктур и эталонного образца подтвердил высокую эффективность излучательной рекомбинации в созданных гетероструктурах. Отсутствие проникновения дислокаций в активную область метаморфных гетероструктур, где происходит процесс излучальной рекомбинации носителей заряда, подтверждено методом просвечивающей электронной микроскопии.
  1. D. Gollub, S. Moses, M. Fischer, A. Forchel. Electron. Lett., 39 (10), 777 (2003)
  2. T. Hakkarainen, J. Toivonen, H. Koskenvaara, M. Sopanen, H. Lipsanen. J. Phys.: Condens. Matter, 16 (31), S3009 (2004)
  3. S.R. Bank, H.P. Bae, H.B. Yuen, M.A. Wistey, L.L. Goddard, J.S. Harris. Electron. Lett., 42 (3), 156 (2006)
  4. S.R. Bank, M.A. Wistey, L.L. Goddard, H.B. Yuen, V. Lordi, jr, J.S. Harris. IEEE J. Quant. Electron., 40 (6), 656 (2004)
  5. S.R. Bank, L.L. Goddard, M.A. Wistey, H.B. Yuen, jr, J.S. Harris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 11 (5), 1089 (2005)
  6. V.M. Korpijarvi, E.L. Kantola, T. Leinonen, R. Isoaho, M. Guina. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 21 (6), 1 (2015)
  7. И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (10), 1270 (2003)
  8. N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, N.V. Kryzhanovskaya, V.M. Ustinov, D. Bimberg. Electron. Lett., 39 (15), 1126 (2003)
  9. T. Kettler, L.Y. Karachinsky, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, D. Bimberg, I.I. Novikov, Yu.M. Shernyakov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh. Appl. Phys. Lett., 89 (4), 041 113 (2006).
  10. L.Y. Karachinsky, T. Kettler, I.I. Novikov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, G. Fiol, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sci. Technol., 21 (5), 691 (2006)
  11. А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, В.Н. Неведомский, В.Е. Бугров. ФТП, 49 (11), 1569 (2015)
  12. I. Garci a, J.F. Geisz, R.M. France, J. Kang, S.H. Wei, M. Ochoa, D.J. Friedman. J. Appl. Phys., 116 (7), 074 508 (2014)
  13. А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, А.В. Бабичев, Т.Н. Березовская, В.Н. Неведомский. ФТП, 49 (10), 1434 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.