Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние ионизационных потерь энергии высокоэнергетичных ионов висмута на развитие гелиевых блистеров в кремнии

Реутов В.Ф.¹, Дмитриев С.Н.¹, Сохацкий А.С.¹, Залужный А.Г.²

¹Объединенный институт ядерных исследований, Лаборатория ядерных реакций им. Г.Н. Флерова, Дубна, Россия
²Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Понимание особенностей поведения гелия в твердых телах в условиях воздействия интенсивного ионизирующего излучения представляет определенный интерес при решении многих проблем ядерного, термоядерного и космического материаловедения, а также в микроэлектронике. В работе описывается обнаруженный эффект подавления образования гелиевых блистеров на поверхности ионно-легированного гелием кремния в результате облучения высокоэнергетическими ионами висмута. Сделано предположение о возможном уменьшении концентрации атомов гелия в кремнии за счет их радиационно-индуцированной десорбции из зоны легирования в условиях ионизационного воздействия от высокоэнергетических ионов висмута.

А.Г. Залужный, Ю.Н. Сокурский, В.Н. Тебус. Гелий в реакторных материалах (М., Энергоатомиздат, 1988) с. 224
В.Ф. Реутов, Ш.Ш. Ибрагимов, О.П. Максимкин и др. ЖТФ, 55 (1), 198 (1985)
В.Ф. Реутов, В.Ф. Чкуасели, Г.Т. Ждан. ФММ, 63 (5), 915 (1987)
В.Ф. Реутов, Ш.Ш. Ибрагимов. А. с. СССР на изобретение N 1282757 (1983)
M. Bruel. Patent USA N 5 374 564, 1995
M. Bruel. Electron. Lett. 31 (14), 1201 (1995)
F. Henley, A. Lamm, S. Kang, Z. Liu, L. Tiam. 23rd Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf., Sept. 1-5, 2008 (Valencia, Spain)
В.Ф. Реутов, С.Н. Дмитриев. Письма в ЖТФ, 23 (5) 41 (2007)
В.Ф. Реутов, А.Г. Залужный, А.П. Кобзев, А.С. Сохацкий. ЖТФ, 79 (9), 63 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель