"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах AlxGa1-xN (x=0-0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
Малин Т.В.1, Гилинский А.М.1, Мансуров В.Г.1, Протасов Д.Ю.1, Кожухов А.С.1, Якимов Е.Б.2, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Исследована длина диффузии неосновных носителей заряда при комнатной температуре в слоях n-Al0.1Ga0.9N для ультрафиолетовых фотоприемников, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира (0001). Измерения были выполнены для тонких образцов с использованием спектральной зависимости фототока, регистрируемого встроенным p-n-переходе, и с помощью методики наведенного электронного тока для пленок до 2 мкм в толщину. Результаты показывают, что длина диффузии дырок в n-AlGaN плeнках составляет 120-150 нм, что в 3-4 раза больше, чем в слоях GaN, выращенных в аналогичных ростовых условиях. Данный результат может быть связан с бoльшими латеральными размерами характерных для молекулярно-лучевой эпитаксии гексагональных ростовых колонн в слоях AlGaN. Увеличения длины диффузии дырок в более толстых плeнках не наблюдается.
  1. Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Piquette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 73, 3276 (1998)
  2. G. Moldovan, P. Kazemiana, P.R. Edwardsb, V.K.S. Ongc, O. Kurniawanc, C.J. Humphreys. Ultramicroscopy, 107, 382 (2007)
  3. K. Kumakura, T. Makimoto, N. Kobayashi, T. Hashizume, T. Fukui, H. Hasegawa. Appl. Phys. Lett., 86, 052 105 (2005)
  4. T. Sugiyama, D. Iida, T. Yasuda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki. Appl. Phys. Express, 6, 121 002 (2013)
  5. M. Iwaya, D. Iida, T. Sugiyama, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki. 5th Int. Symp. on Growth of III-Nitrides (Atlanta, USA, 2014) P. 36, report H3
  6. K.S. Zhuravlev, T.V. Malin, V.G. Mansurov, N.N. Novikova, V.A. Yakovlev. Phys. Status Solidi C, 10, 377 (2013)
  7. N.N. Novikova, E.A. Vinogradov, V.A. Yakovlev, T.V. Malin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev. Surf. Coat. Technol., 227, 58 (2013)
  8. T.V. Malin, V.G. Mansurov, Y.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev. Phys. Status Solidi C, 11, 613 (2014)
  9. G.W. 't Hooft, C. van Opdorp. J. Appl. Phys., 60, 1065 (1986)
  10. T. Ota, K. Oe, M. Yamaguchi. J. Appl. Phys., 46, 3674 (1975)
  11. G. Hao, X. Chen, B. Chang, X. Fua, Y. Zhang, M. Yang, J. Zhang. Optik, 125, 1377 (2014)
  12. E.B. Yakimov, S.S. Borisov, S.I. Zaitsev. Semiconductors, 41, 411 (2007)
  13. E.B. Yakimov, V.V. Privezentsev. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19, S277 (2008)
  14. http://www.gel.usherbrooke.ca/casino/What.html

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.