"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn4Si7-Si<Mn>-Мn4Si7 и Мn4Si7-Si<Mn>-М
Камилов Т.С.1, Аксенова Л.Л.2, Шарипов Б.З.1, Эрнст И.В.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Исследованы особенности токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn4Si7-Si<Mn>-Мn4Si7 и Мn4Si7-Si<Mn>-М при низких температурах и при "собственном" освещении с hnu≥ 1.12 эВ. Показано, что при высоких приложенных напряжениях можно получить автоколебания низкой частоты, связанные с усилением и гашением фотопроводимости.
  1. Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, Г.И. Ивакин. ЖТФ, 83 (6), 128 (2013)
  2. Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, А. Тураев. ЖТФ, 83 (8), 98 (2013)
  3. T.S. Kamilov, B.L. Sadullaev, U.Sh. Ganiev., B.T. Kamilov. Semicond. Sci. Tehnol., 13, 496 (1998)
  4. T.S. Kamilov, V.P. Chirva, D.K. Kabilov. Semicond. Sci. Tehnol., 14, 1012 (1999)
  5. Д.М. Шукурова, А.С. Орехов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, Т.С. Камилов. ЖТФ, 81 (10), 44 (2011)
  6. Д.М. Шукурова, Т.С. Камилов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, А.С. Орехов. Узб. физ. журн., 12 (3), 132 (2010)
  7. Е.С. Камилов, И.В. Эрнст, А.Ю. Самунин. ЖТФ, 84 (12), 96 (2014)
  8. А.В. Лыков. Теплообмен (Справочник). 2-е изд., перераб. и доп. (М., Энергия, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.