Исследование токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn4Si7-Si<Mn>-Мn4Si7 и Мn4Si7-Si<Mn>-М
Камилов Т.С.1, Аксенова Л.Л.2, Шарипов Б.З.1, Эрнст И.В.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Исследованы особенности токовых неустойчивостей в гетеропереходах Мn4Si7-Si<Mn>-Мn4Si7 и Мn4Si7-Si<Mn>-М при низких температурах и при "собственном" освещении с hnu≥ 1.12 эВ. Показано, что при высоких приложенных напряжениях можно получить автоколебания низкой частоты, связанные с усилением и гашением фотопроводимости.
- Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, Г.И. Ивакин. ЖТФ, 83 (6), 128 (2013)
- Т.С. Камилов, В.В. Клечковская, Б.З. Шарипов, А. Тураев. ЖТФ, 83 (8), 98 (2013)
- T.S. Kamilov, B.L. Sadullaev, U.Sh. Ganiev., B.T. Kamilov. Semicond. Sci. Tehnol., 13, 496 (1998)
- T.S. Kamilov, V.P. Chirva, D.K. Kabilov. Semicond. Sci. Tehnol., 14, 1012 (1999)
- Д.М. Шукурова, А.С. Орехов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, Т.С. Камилов. ЖТФ, 81 (10), 44 (2011)
- Д.М. Шукурова, Т.С. Камилов, Б.З. Шарипов, В.В. Клечковская, А.С. Орехов. Узб. физ. журн., 12 (3), 132 (2010)
- Е.С. Камилов, И.В. Эрнст, А.Ю. Самунин. ЖТФ, 84 (12), 96 (2014)
- А.В. Лыков. Теплообмен (Справочник). 2-е изд., перераб. и доп. (М., Энергия, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
