"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в n-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор-металл
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Макарова Т.Л.1,2, Тиснек Т.В.1, Голощапов С.И.1, Семенихин П.В.1
1Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Методом СКВИД-магнитометрии измерена и исследована низкотемпературная (температуры T≤100 K) восприимчивость серии образцов сильно легированного Ge : As на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл. Вычитанием из нее известных значений магнитной восприимчивости решетки получены значения для примесной магнитной восприимчивости системы. С помощью метода электронного парамагнитного резонанса определена парамагнитная составляющая примесной восприимчивости. Вычитанием из полной примесной восприимчивости ее парамагнитной составляющей впервые получены значения примесной диамагнитной восприимчивости, которые оказались ~5·10-8 см3/г. Полученный результат соответствует оценкам, сделанным для радиуса локализации электрона на доноре As. Понижение температуры в область очень низких значений (T≤ 4 K) приводит к возрастанию диамагнитной восприимчивости, практически соответствующему наблюдаемому росту парамагнитной восприимчивости. Наблюдаемый эффект объяснен переходом примесных электронов из синглетного в триплетное состояние.
  1. С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971)
  2. D.K. Stevens, J.W. Cleland, J.H. Crawford, H.C. Schweinler. Phys. Rev., 100, 1084 (1955)
  3. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 41, 812 (2007)
  4. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 42, 1301, (2008)
  5. А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
  6. Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках (М., Мир, 1964)
  7. F.J. Dyson. Phys. Rev., 98, 349 (1955)
  8. G. Feher, A.F. Kip. Phys. Rev., 98, 337 (1955)
  9. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин. ЖТФ, 83 (12), 103 (2013)
  10. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, Л.М. Штеренгас. ФТП, 32, 811 (1998)
  11. А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин. ЖЭТФ, 143, 918 (2013)
  12. H. Kamimura. In: Crystalline Semiconducting Materials and Devices, ed. by P.N. Butcher, N.H. March, M. Tosi (Plenum, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.