Обнаружение примесной диамагнитной восприимчивости и ее поведение в n-Ge : As вблизи фазового перехода изолятор-металл
Вейнгер А.И.1, Забродский А.Г.1, Макарова Т.Л.1,2, Тиснек Т.В.1, Голощапов С.И.1, Семенихин П.В.1
1Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Методом СКВИД-магнитометрии измерена и исследована низкотемпературная (температуры T≤100 K) восприимчивость серии образцов сильно легированного Ge : As на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл. Вычитанием из нее известных значений магнитной восприимчивости решетки получены значения для примесной магнитной восприимчивости системы. С помощью метода электронного парамагнитного резонанса определена парамагнитная составляющая примесной восприимчивости. Вычитанием из полной примесной восприимчивости ее парамагнитной составляющей впервые получены значения примесной диамагнитной восприимчивости, которые оказались ~5·10-8 см3/г. Полученный результат соответствует оценкам, сделанным для радиуса локализации электрона на доноре As. Понижение температуры в область очень низких значений (T≤ 4 K) приводит к возрастанию диамагнитной восприимчивости, практически соответствующему наблюдаемому росту парамагнитной восприимчивости. Наблюдаемый эффект объяснен переходом примесных электронов из синглетного в триплетное состояние.
- С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971)
- D.K. Stevens, J.W. Cleland, J.H. Crawford, H.C. Schweinler. Phys. Rev., 100, 1084 (1955)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 41, 812 (2007)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов. ФТП, 42, 1301, (2008)
- А.Г. Забродский, К.Н. Зиновьева. ЖЭТФ, 86, 727 (1984)
- Дж. Людвиг, Г. Вудбери. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках (М., Мир, 1964)
- F.J. Dyson. Phys. Rev., 98, 349 (1955)
- G. Feher, A.F. Kip. Phys. Rev., 98, 337 (1955)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин. ЖТФ, 83 (12), 103 (2013)
- М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, Л.М. Штеренгас. ФТП, 32, 811 (1998)
- А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин. ЖЭТФ, 143, 918 (2013)
- H. Kamimura. In: Crystalline Semiconducting Materials and Devices, ed. by P.N. Butcher, N.H. March, M. Tosi (Plenum, 1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.