Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии

Феклисова О.В.¹, Якимов Е.Б.^1,2

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

National University of Science and Technology MISiS, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 20 октября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом наведенного электронным пучком тока исследовано влияние атомов меди, введенных посредством высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций и следов за дислокациями в монокристаллическом кремнии p-типа. Показано, что после введения меди рекомбинационная активность следов за дислокациями существенно увеличивается в отличие от дислокаций. Обнаружено появление светлого контраста вблизи следов за дислокациями после диффузии меди и закалки образцов, интенсивность которого зависит от плотности дефектов в этих следах.

O.V. Kononchuk, V.V. Nikitenko, V.I. Orlov, E.B. Yakimov. Phys. Status. Solidi A, 143, K5 (1994)
M. Kittler, C. Ulhaq-Bouillet, V. Higgs. Mater. Sci. Engineer., B24, 52 (1994)
I.E. Bondarenko, V.G. Eremenko, B.Ya. Farber, V.I. Nikitenko, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi A, 68, 53 (1981)
O.V. Feklisova, E.B. Yakimov, N. Yarykin. Physica B, 340--342, 1005 (2003)
V.G. Eremenko, E.B. Yakimov. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 27, 349 (2004)
O.V. Feklisova, B. Pichaud, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi A, 202, 896 (2005)
O.V. Feklisova, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi C, 6 (8), 1823 (2009)
О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. Поверхность, 8, 45 (2009)
О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТТ, 53 (6), 1175 (2011)
О.В. Феклисова, Х. Ю, Д. Янг, Е.Б. Якимов. Поверхность, N 11, 31 (2012)
K. Graff. Metal impurities in silicon-device fabrication (Berlin, Springer, 1995)
A. Mesli, T. Heiser. Phys. Rev. B, 45 (20), 11 632 (1992)
Е.Б. Якимов. Поверхность, N 3, 15 (2003)
E.B. Yakimov. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 069 (2002)
O.V. Feklisova, X. Yu, D. Yang, E.B. Yakimov. Phys. Status Solidi C, 9 (10-11), 1942 (2012)
H. Alexander, S. Dietrich, M. Huhne, M. Kolbe, G. Webe. Phys. Status Solisi A, 117 (2), 417 (1990)
E. Nes, J. Washburn. J. Appl. Phys., 44, 3682 (1973)
M. Seibt, K. Graff. J. Appl. Phys., 63, 4444 (1988)
M. Seibt, M. Griess, A.A. Istratov, H. Hedemann, A. Sattler, W. Schroter. Phys. Status Solidi A, 166, 171 (1998)
H.B. Aaron, G. R. Kotler. Metal. Trans., 2, 393 (1971)
S.A. Mc Hugo. Appl. Phys. Lett., 71, 1984 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель