Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пикосекундное переключение высоковольтных обратносмещенных p⁺-n-n⁺-структур в проводящее состояние при импульсном освещении

Кюрегян А.С.¹

¹Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия All-Russia Electrical Engineering Institute, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 14 апреля 2014 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Построена аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных обратносмещенных p⁺-n-n⁺-структур в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения и проведено численное моделирование этого процесса. Объединение результатов теории и моделирования позволило получить простые соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса - амплитудой импульса тока активной нагрузки и длительностью процесса коммутации.

High-Power Optically Activated Solid-State Switches, ed. by A. Rosen, F. Zutavern (Boston, Artech House, 1994)
П.П. Васильев. Квант. электрон., 17, 268 (1990)
C. Hettler, W.W. Sullivan, J. Dickens. Mater. Sci. Forum, 717--720, 301 (2012)
J.S. Sullivan, J.R. Stanley. IEEE Trans. Plasma Sci., 36, 2528 (2008)
K. Zhu et al. Appl. Phys. Lett., 86, 261 108 (2005)
В.М. Воле, И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Г. Чащников. Письма в ЖТФ,3, 1077 (1977)
И.В. Грехов, М.Е. Левинштейн, В.Г. Сергеев, И.Н. Яссиевич. ЖТФ, 49, 1013 (1979)
D. Giorgi, P.K.L. Yu, J.R. Long, V.D. Lew, T. Navapanich, O.S.F. Zucker. J. Appl. Phys., 63, 930 (1988)
И.В. Грехов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 13, 1710 (1979)
A. Pedersen. Proc. 3rd Int. Conf. Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics (Trondheim, Norway, 1989) p. 107
A. Pedersen, G.C. Crichton, I.W. McAllister. IEEE Trans. Electrical Insulation, 26, 487 (1991)
R. Morrow, N. Sato. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, L20 (1999)
А.Н. Иновенков, О.В. Константинов, В.И. Пирогов. ЖТФ, 63, 1 (1993)
А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ЖТФ, 79, 80 (2009)
А.С. Кюрегян, С.Н. Юрков. ФТП, 23, 1819 (1989)
T.T. Mnatsakanov, I.LRostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
B. Vergne, V. Couderc, A. Barthelemy, M. Lalande, V. Bertrand, D. Gontier. Microwave and Optical Techn. Lett., 48, 121 (2006)
M. Lalande, J.C. Diot, S. Vauchamp, J. Andrieu. Progr. in Electromagnetics Res. B, 11, 205 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель