"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP
Rakovics V.1, Именков А.Н.2, Шерстнев В.В.2, Серебренникова О.Ю.2, Ильинская Н.Д.2, Яковлев Ю.П.1
1Institute of Technical Physics and Materials Science, Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
2Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию: 13 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

На основе гетероструктур InGaAsP/InP созданы мощные светодиоды с диаметром мезы 100, 200 и 300 мкм. Форма мез близка к форме усеченного конуса с наклоном образующей ~45o в окрестности активной области светодиода, при этом вытравленное вокруг мезы кольцо служит отражателем. Исследованы спектры и диаграммы направленности излучения таких светодиодов в широком интервале плотностей тока и показано, что излучательная рекомбинация преобладает вплоть до плотности тока ~5000 А/см2, что делает эти структуры перспективными для создания мощных светодиодов. Получена в непрерывном режиме мощность излучения ~14 мВт (I=0.2 А, lambda=1.1 мкм), а в импульсном режиме 77 мВт (I=2 А, lambda=1.1 мкм), что соответствует внешнему квантовому выходу излучения 6.2 и 3.4 соответственно.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, Б.В. Пушный, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 3, 657 (1977)
  2. T. Hyvarien, M. Aliko, E. Herrala, J. Malimen. Proc. SPIE, 2084, 224 (1993)
  3. V. Rakovics, J. Balazs, S. Puspoki, C. Frigeri. Mater. Sci. Eng. B, 80, 18 (2001)
  4. V. Rakovics, S. Puspoki, J. Balazs, I. Reti, C. Frigeri. Mater. Sci. Eng. B, 91--92, 491 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.