"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4.2-300 K
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Болтовец Н.С.2, Конакова Р.В.1, Капитанчук Л.М.3, Шеремет В.Н.1, Свешников Ю.Н.4, Пилипчук А.С.5
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4ЗАО "Элма-Малахит", Зеленоград, Москва, Россия
5Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Экспериментально исследована и теоретически объяснена температурная зависимость удельного контактного сопротивления rhoc(T) омических контактов Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в диапазоне температур T=4.2-300 K. Показано, что в низкотемпературной области измерений (4.2-50 K) наблюдается участок насыщения rhoc(T). С повышением температуры величина rhoc уменьшается по экспоненциальному закону. Экспериментальная и расчетная зависимости rhoc(T) согласуются между собой. Полученные результаты позволяют сделать вывод о полевой природе токопереноса на участке насыщения rhoc(T) и термополевой --- на экспоненциальном.
  1. Ohmic Contacts to Semiconductor, ed. by B. Schwartz (Electrochem Soc. Inc., 1969)
  2. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  3. R. Quay. Gallium Nitride Electronics (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 2008)
  4. А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках (М., Техносфера, 2011)
  5. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводниковых приборов (М., Металлургия, 1985)
  6. А.Н. Ковалев. Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур (М., Изд. дом МИСиС, 2011)
  7. К.Л. Ернишерлова, А.В. Лютцау, Л.Ф. Сейдман, Э.М. Темпер, А.М. Коновалов, В.В. Пищагин. В сб.: Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 9-й Всеросс. конф. (М.--СПб., 2013) с 273
  8. W. Knap, S. Contreras, H. Alause, S. Skierbiszewski, J. Camassel, M. Dyakonov, J.L. Robert, J. Yang, Q. Chen, M. Asif Khan, M.L. Sadowski, S. Huant, F.H. Yang, M. Goiran, J. Leotin, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 70 (16), 2123 (1997)
  9. O.A. Klimenko, W. Knap, B. Iniguez, D. Coquillat, Y.A. Mityagin, F. Teppe, N. Dyakonova, H. Videlier, D. But, F. Lime, J. Marczewski, K. Kucharski. J. Appl. Phys., 112 (1), 014 506 (2012)
  10. R. Tauk, J. Lusakowski, W. Knap, A. Tiberj, Z. Bougrioua, M. Azize, P. Lorenzini, M. Sakowicz, K. Karpierz, C. Fenouillet-Beranger, M. Casse, C. Gallon, F. Boeuf, T. Skotnicki. J. Appl. Phys., 102 (10), 103 701 (2007)
  11. В.Н. Алфеев, П.А. Бахтин, А.А. Васенков, И.Д. Войтович, В.И. Махов. Интегральные схемы и микроэлектронные устройства на сверхпроводниках (М., Радио и связь, 1985)
  12. D.K. Schroder. Semiconductor Material and Device Characterisation (Wiley, New Jersey, 2006)
  13. S. Noor Mohammad. J. Appl. Phys., 95 (12), 7970 (2004)
  14. S. Fernandez, R. Pena, M.T. Rodrigo, J. Plaza, M. Verdu, F.J. Sanchez, M.T. Montojo. Appl. Phys. Lett., 90 (8), 083 504 (2007)
  15. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9 (7), 695 (1966)
  16. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (СПб., Лань, 2008)
  17. Contacts to Semiconductors. Fundamentals and Technology, ed. by L.J. Brillson (Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey, USA, 1993) p. 29.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.