Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода

Тысченко И.Е.¹, Володин В.А.^1,2, Козловский В.В.³, Попов В.П.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 марта 2014 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы свойства пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода (~50 ат%) и отожженных под давлением 10.5 кбар. В исследованных пленках обнаружена высокая степень локализации оптического фонона, которая сохраняется до температуры отжига ~ 1000^oC и объясняется формированием нанокристаллов кремния. Установлено, что энергия активации отжига структурной релаксации оборванных связей в пленках c большим содержанием водорода не зависит от величины давления при отжиге. Энергия активации роста кристаллической фазы, рассчитанная из спектров КРС, составляет ~ 1.5 эВ и также не зависит от величины давления. Эффект гидростатического давления заключается лишь в уменьшении частотного фактора, лимитирующего перезамыкание Si-Si связей в процессе упорядочения.

S. Mukhopadhyay, A. Chowdhury, S. Ray. Thin Sol. Films, 516, 6824 (2008)
M.N. van den Donker, B. Rech, F. Finger, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden. Appl. Phys. Lett. 87, 263 503 (2005)
N.H. Nickel, N.M. Johnson, B. Jackson, Appl. Phys. Lett., 62, 3285 (1993)
И.Е. Тысченко, В.П. Попов, А.Б. Талочкин, А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев. ФТП, 38, 111 (2004)
И.Е. Тысченко, В.А. Володин. ФТП, 46, 1309 (2012)
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, M. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. ФТП, 47, 591 (2013)
K. Mitani, U.M. Gosele. Appl. Phys. A, 54, 543 (1992)
I. E. Tyschenko, K. S. Zhuravlev, A. G. Cherkov, A. Misiuk, V.P. Popov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 477 (2005)
V. Gusakov. Mater. Sci. Semicond. Proc., 9, 531 (2006)
N.H. Nickel, E.A. Schiff. Phys. Rev. B, 58, 1114 (1998)
D.T. Britton, A. Hempel, M. Harting, G. Kogel, P. Sperr, W. Triftshauser, C. Arendse, D. Knoesen. Phys. Rev. B, 64, 075 403 (2001)
Y. Hishikava. J. Appl. Phys., 62, 3150 (1987)
V. Paillard, P. Puech, M.A. Laguna, R. Carles, B. Kohn, F. Huisken. J. Appl. Phys. 86, 1921 (1999)
E. Bustarret, M.A. Hachicha, M. Brunel. Appl. Phys. Lett., 52, 1675 (1988)
G. Faraci, S. Gibilisco, P. Russo, A. Pennisi. Phys. Rev. B, 73, 033 307 (2006)
J. Zi, H. Buscher, C. Falter, W. Ludwig, K. Zhang, X. Xie. Appl. Phys. Lett., 69, 200 (1996)
В.А. Володин, В.А. Сачков. ЖЭТФ, 143, 100 (2013)
J. Gonzalez-Hermandez, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 42, 90 (1983)
T. Okada, T. Iwaki, H. Kasahara, K. Yamamoto. Sol. St. Commun., 52, 363 (1984)
B.C. Johnson, J.C. McCallum, A.J. Atanacio, K.E. Prince. Appl. Phys. Lett., 95, 101 911 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель