"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые поправки для пороговых напряжений полностью обедняемых КНИ транзисторов с двумя независимыми затворами
Попов В.П.1, Ильницкий М.А.1, Наумова О.В.1, Назаров А.Н.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Изучается эффект линейной зарядовой связи пороговых напряжений нижнего (полевого) затвора Vth, в качестве которого служила подложка структуры кремний-на-изоляторе, полностью обедняемых n-МДП транзисторов на слабо легированном слое кремния толщиной 20-50 нм, в зависимости от величины напряжения Vbg верхнего асимметрично смещенного (с отрицательной полярностью) N+-poly-Si затвора. Показано, что квантово-механическая поправка, определяемая электростатически индуцированным размерным эффектом поперечного поля, должна учитываться при определении области линейной зарядовой связи между затворами даже при толщине слоя кремния ~50 нм. Увеличение положительного заряда на поверхностных состояниях на гетерогранице со слоем кремния увеличивает величину квантово-механической поправки в 2-4 раза из-за эффекта квантовой емкости, влияющего на перезарядку донорных ловушек при большой разнице разнополярных потенциалов двух затворов.
  1. L. Su, J. Jacobs, J. Chung, D. Antoniadis. IEEE Electron. Dev. Lett., 15 (5), 183 (1994)
  2. H.-S. Wong, D. Frank, P. Solomon. IEDM Technical Digest, 407 (December 1998)
  3. S. Suzuki, K. Ishii, S. Kanemaru, T. Maeda, T. Tsutsumi, T. Sekiwaga, K. Nagai, H. Hiroshima. IEEE Trans. Electron. Dev., 47 (2), 354 (2000)
  4. В.А. Гриценко, И.Е. Тысченко, В.П. Попов, Т.В. Перевалов. Диэлектрики в наноэлектронике, отв. ред. А.Л. Асеев (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2010)
  5. I.J. Yang, K. Vieri, A. Chandrakasan, D.A. Antoniadis. IEDM Technical Digest, 877 (December 1995)
  6. T. Hiramoto. IEICE Trans. Electron., E83-C (2), 161 (2000)
  7. R. Tsuchiya, M. Horiuchi, S. Kimura, M. Yamaoka, T. Kawahara, S. Maegawa, T. Iposhi, Y. Ohji, H. Matsuoka. IEDM Technical Digest, 631 (December 2004)
  8. G. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, Wang WU, Lieber CM. Nature Biotechnology, 23 (10), 1294 (2005)
  9. Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, K.A. Malsagova, N.V. Krohin, V.V. Shumyantseva, I.D. Shumov, V.P. Popov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.L. Aseev, A.I. Archakov. Lab on a Chip., 12 (23), 5104 (2012)
  10. F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, 14 017 (2004)
  11. N. Elfstrom, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. Eriksson. Karlstrom J. Linnros. Nano Lett., 7 (9), 2608 (2007)
  12. J. Hahm, C.M. Lieber. Nano Lett., 4 (1), 51 (2004)
  13. O.V. Naumova, V.P. Popov, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. ECS Transactions, 25 (10), 83 (2009)
  14. H.K. Lim, J.G. Fossum. IEEE Trans. Electron. Dev., 30 (10), 1244 (1983)
  15. J.-P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 3-rd ed. (Boston. MA: Kluwer, 2004)
  16. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 16 (3), 299 (2013)
  17. О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Л.Н. Сафронов, Д.А. Насимов, М.А. Ильницкий, Н.В. Дудченко, С.Ф. Девятова, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Автометрия, 45 (4), 6 (2009)
  18. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov. A.I. Archakov. Semicond. Sci. Technol., 25 (5), 055 004 (2010)
  19. А.А. Французов, Н.И. Бояркина, В.П. Попов. ФТП, 42 (2), 215 (2008)
  20. M.G. Ancona, H.F. Tiersten. Phys. Rev. B, 35 (15), 7959 (1987). M.G. Ancona, G.J. Iafrate. Phys. Rev. B, 39 (13), 9536 (1989)
  21. D.B.M. Klaassen. Sol. St. Electron., 35 (7), 953 (1992)
  22. C. Canali, G. Majni, R. Minder, G. Ottaviani. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-22 (11), 1045 (1975)
  23. S. Reggiani, E. Gnani, A. Gnudi, M. Rudan, G. Baccarani. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (9), 2204 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.