Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сегрегация подвижных ионов на границах раздела диэлектрик--полупроводник в МДП структурах

Дмитриев С.Г.¹, Маркин Ю.В.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 22 декабря 2000 г.

Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрено равновесное распределение подвижных ионов в МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурах с ионными поверхностными состояниями на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Представлен расчет квазистатических вольт-амперных характеристик ионных токов в МДП структурах. Заселенность поверхностных состояний ионами описана с помощью распределения Гиббса.

Дж.П. Старк. Диффузия в твердых телах (М., Энергия, 1980)
E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal--Oxide--Semiconductor) Physics and Technology (N.Y., John Willey \& Sons, 1982)
Ф. Бехштедт, Р. Эндерман. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мейер. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции (М., Мир, 1982)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 32, 1439 (1998)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 34, 970 (2000)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 35, 192 (2001)
A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2976 (1978)
V.P. Romanov, Yu.A. Chaplygin. Phys. St. Sol. (a), 53, 493 (1979)
В.В. Гавриловец, В.Б. Бондаренко, Ю.А. Кудинов, В.В. Кораблёв. ФТП, 34, 455 (2000)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) ч. I
Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика (М., Наука, 1979)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhoek. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. РЭ, 45, 220 (2000)
Ч. Киттель. Статистическая термодинамика (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель