"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль эффекта поверхностной сегрегации в формировании резких границ слоев в гетерокомпозициях Si/Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками
Орлов Л.К.1, Ивина Н.Л.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Для системы Si1-xGex, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4 в условиях эффективного заполнения поверхностных связей продуктами распада гидридов, измерены коэффициенты сегрегации атомов германия, что позволило в свою очередь впервые на основании разработанной кинетической модели роста определить для рассматриваемого метода эпитаксии отношение коэффициентов встраивания атомов Si и Ge в растущий слой Si1-xGex. Для структур Si-Si1-xGex, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии с комбинированными источниками Si-GeH4, для широкой области значений технологических параметров проведено сопоставление роли различных механизмов (пиролиза, сегрегации и других) в формировании профиля металлургических границ слоев.
  1. D.W. Greve. Meter. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
  2. J. Thiesen, E. Iwaniczko, K.M. Jones, A. Mahan, R. Grandall. Appl. Phys. Lett., 75, 992 (1999)
  3. L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, Yu.N. Drozdov, V.I. Vdovin. IEEE, SIMC-9, 215 (1996)
  4. O.P. Karpenko, S.M. Yalisove, D.J. Eaglesham. J. Appl. Phys., 82, 1157 (1997)
  5. В.И. Вдовин, К.Д. Щербачев, М. Миронов, К. Парри, Э.Н.С. Паркер. Кристаллография, 45 (4), 1 (2000)
  6. W.C. Tsai, C.Y. Chang, T.G. Jung, T.S. Liou, G.W. Huang, T.C. Chang, L.P. Chen, H.C. Lin. Appl. Phys. Lett., 67, 1092 (1995)
  7. J.M. Baribeau, D.J. Lockwood, R.L. Headrick. J. Electron. Mater., 24, 341 (1995)
  8. В.А. Толомасов, Л.К. Орлов, С.П. Светлов, А.Д. Гудкова, А.В. Корнаухов, Р.А. Рубцова, А.В. Потапов, Ю.Н. Дроздов. Кристаллография, 43, 535 (1998)
  9. Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ, 70 (6), 102 (2000)
  10. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина, А.В. Потапов. ФТП, 34, 1153 (2000)
  11. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Sol. Films, 336, 191 (1998)
  12. Y.J. Zheng, A.M. Lam, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 75, 817 (1999)
  13. Л.К. Орлов, С.В. Ивин, А.В. Потапов, Н.Л. Ивина. ЖТФ, 71 (4), 53 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.