"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур с одиночными квантовыми ямами, обработанных в водородной плазме
Бумай Ю.А.1, Гобш Г.2, Гольдхан Р.2, Штайн Н.2, Голомбек А.2, Наков В.2, Ченг Т.С.1
1Белорусская государственная политехническая академия, Минск, Белоруссия
2Технический университет Ильменау, Ilmenau, FRG
Поступила в редакцию: 30 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs/AlGaAs-гетероструктуры с одиночными квантовыми ямами вблизи поверхности, антимодулированно легированные Si, обработаны в водородной плазме при 260oC и исследованы методами низкотемпературной фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и фотоотражения. Обнаружено гашение экситонной люминесценции из квантовой ямы при возбуждении ниже ширины запрещенной зоны AlGaAs вследствие усиления электрического поля в структуре. Эффект связан с откреплением уровня Ферми от середины запрещенной зоны специально не легированного верхнего слоя GaAs (p-типа) в результате пассивации водородом поверхностных состояний при отсутствии нейтрализации мелких примесей в слоях структуры (из-за распада комплексов с водородом в условиях освещения и наличия сильных электрических полей).
  1. S.J. Pearton. Mater. Sci. Forum., 148--149, 393 (1994)
  2. L. Pavesi, F. Martelli, D. Martin, F.K. Reinhart. Appl. Phys. Lett., 54, 1522 (1989)
  3. J.M. Zavada, F. Voillot, N. Lauert, R.G. Wilson, B. Theys. J. Appl. Phys., 73, 8489 (1993)
  4. R. Fisher, G. Peter, E.O. Gobel, M. Capazzi, A. Frova, A. Fisher, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 60, 2788 (1992)
  5. Y.-L. Chang, I.-H. Tang, Y.-H. Zhang, J. Merz, E. Hu, A. Frova, V. Emiliani. Appl. Phys. Lett., 62, 2697 (1993)
  6. J. Chevallier, B. Clerjand, B. Pajot. In: Semiconductors and Semimetals (San Diego, Academic Press, 1991) v. 34, p. 447
  7. F. Sarto, M. Capizzi, A. Frova. Semicond. Sci. Technol., 8, 1231 (1993)
  8. P.O. Holz, A.C. Ferreira, Q.X. Zhao, B. Monemar, M. Sundaram, K. Campman, J.L. Merz, A.C. Gossard. Shallow-Level Centers in Semiconductors (Amsterdam, North-Holland, 1996) p. 67
  9. T. Maeda, J.W. Lee, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, C. Constantine, R.J. Shul. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 510, 209 (1998)
  10. W.T. Masselink, Yia-Chung Chang, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 32, 5190 (1985)
  11. G.C. Rune, P.O. Holtz, M. Sundaram, J.L. Merz, A.C. Gossard, B. Monemar. Phys. Rev. B, 44, 4010 (1991)
  12. L.E. Oliveira, G.D. Mahan. Phys. Rev. B, 47, 2406 (1993)
  13. D.C. Reynolds, C.E. Leak, K.K. Bajaj, C.E. Stutz, R.J. Jones, K.R. Evans, P.W. Yu, W.M. Theis. Phys. Rev. B, 40, 6210 (1989)
  14. J.A. Brum, C. Priester, G. Allan. Phys. Rev. B, 32, 2378 (1985)
  15. M.D. Pashley, K.W. Haberern, R.M. Feenstra, P.D. Kirchner. Phys. Rev. B, 48, 4612 (1993)
  16. C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and Applications (San Diego, Academic Press, 1991)
  17. Handbook of ion implantation technology, ed. by J.F. Ziegler (Amsterdam, Horth-Holland, 1992)
  18. H.F. Wong, D.L. Green, T.Y. Liu, D.G. Lishan, M. Bellis, E.L. Hu, P.M. Petroff, P.O. Holtz, J.L. Merz. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1906 (1988)
  19. R. Germann, A. Forchel, M. Bresch, H.P. Meier. J. Vac. Sci. Technol. B, 7, 1475 (1989)
  20. S.M. Khanna, A. Jorio, C. Carlone, M. Parenteau, A. Houdayer, J.W. Gerdes. IEEE Trans. Nucl. Sci., 42, 2095 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.