"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, AlN, GaN и InN
Давыдов С.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Простыми методами, использующими как квантово-механический, так и полуэмпирический подходы, сделаны оценки диэлектрических, оптических, электрооптических, магнитных, упругих, фотоупругих, пьезоэлектрических и фононных характеристик кристаллов XN (X = B, Al, Ga, In). Определены значения деформационных потенциалов и магнитных восприимчивостей. Результаты расчетов сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и расчетами других авторов.
  1. Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998)
  2. У.А. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1
  3. W.A. Harrison. Phys. Rev. B, 27, 3532 (1983)
  4. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37, 3044 (1995)
  5. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 823 (1997)
  6. С.Ю. Давыдов, А.В. Соломонов. Письма ЖТФ, 25, 23 (1999)
  7. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 968 (1996)
  8. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 834 (1996)
  9. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 1137 (1996)
  10. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 695 (1996)
  11. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  12. Landolt-Bornstein. New Series, Group III (Berlin, Springer, 1982) v. 17a
  13. J.A. Sanjurijo, E. Lopez-Cruz, P. Vogl, M. Cardona. Phys. Rev. B, 28, 9237 (1983)
  14. K. Karch, J.-M. Wagner, H. Siegle, C. Thomsen, F. Bechstedt. Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998) p. 303
  15. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП, 30, 1300 (1996)
  16. A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys., 79, 3343 (1996)
  17. А.В. Добрынин, И.П. Казаков, Г.А. Найда. Зарубежн. электрон. техн., 4, 44 (1989)
  18. K. Miwa, A. Fukumoto. Phys. Rev. B, 48, 7897 (1993)
  19. A.F. Wright. J. Appl. Phys., 82, 2833 (1997)
  20. V.W. Chen, T.L. Tansley, T. Osotchan. J. Appl. Phys., 75, 7365 (1994)
  21. T. Kamiya. J. Appl. Phys., 35, 4421 (1996)
  22. K. Osamura, S. Naka, Y. Murakami. J. Appl. Phys., 46, 3432 (1975)
  23. I. Gorczyca, N.E. Christensen, E.L. Peltzer y Blanca, C.O. Rodriguez. Phys. Rev. B, 51, 11 936 (1995)
  24. H. Sterner, A. Schevwiola, K. Karch, P. Pavone, D. Strauch, H. Siegle, G. Kaczmarczyk, L. Filippidis, C. Thomsen. Proc. 7th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (Stockholm, 1997), ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar and E. Janzen (Trans. Tech., Switzerland, 1998) p. 264
  25. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12 899 (1998)
  26. K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, 7043 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.