Поглощение света на переходах между подзонами легких и тяжелых дырок в p-MnxHg1-xTe
Несмелова И.М.1, Барышев Н.С.1, Андреев В.А.1
1Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.
Измерены спектры поглощения эпитаксиальных пленок p-MnxHg1-xTe с x=0.12-0.19 в области длин волн 2-24 мкм при 300 и 80 K. По теории Кейна с учетом влияния отдаленных зон рассчитано поглощение, обусловленное переходами носителей заряда между подзонами легких и тяжелых дырок. Получены значения эффективных масс тяжелых и легких дырок в зависимости от состава твердого раствора и температуры. Проведен анализ низкотемпературных спектров поглощения; оценены энергии ионизации акцепторного уровня.
- И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский. УФН, 146 (1), 35 (1985)
- J. Kaniewski, A. Mycielski. Sol. St. Commun., 41, 959 (1982)
- A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
- P.I. Baranskii, O.P. Gorodnichii, N.V. Shevchenko. Infr. Phys., 30, 259 (1990)
- Е.И. Георгицэ, В.И. Иванов-Омский, Д.И. Цыпишка. ФТП, 32, 450 (1998)
- А.М. Белых, О.В. Романов, Н.Н. Семенов, В.И. Каленик. Матер. II Всесоюзного семинара << Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках>> (Павлодар, 1989) ч. I, с. 20
- И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
- И.М. Несмелова, З.К. Тулвинская, Н.С. Барышев. ЖПС, 50, 480 (1989)
- О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
- K. Takita, T. Uchino, T. Gochou, K. Masuda. Sol. St. Commun., 61, 535 (1987)
- T.R. Gawron, Y. Trylski. Proc 4th Int. Conf. Phys. of Narrow Gap Semicond. (Linz, Austria, 1981) [Lecture Notes in Physics (Springer Verlag, 1982) p. 312]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.