"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поглощение света на переходах между подзонами легких и тяжелых дырок в p-MnxHg1-xTe
Несмелова И.М.1, Барышев Н.С.1, Андреев В.А.1
1ФНПЦ НПО "Государственный институт прикладной оптики", Казань, Россия
Поступила в редакцию: 8 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Измерены спектры поглощения эпитаксиальных пленок p-MnxHg1-xTe с x=0.12-0.19 в области длин волн 2-24 мкм при 300 и 80 K. По теории Кейна с учетом влияния отдаленных зон рассчитано поглощение, обусловленное переходами носителей заряда между подзонами легких и тяжелых дырок. Получены значения эффективных масс тяжелых и легких дырок в зависимости от состава твердого раствора и температуры. Проведен анализ низкотемпературных спектров поглощения; оценены энергии ионизации акцепторного уровня.
  1. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский. УФН, 146 (1), 35 (1985)
  2. J. Kaniewski, A. Mycielski. Sol. St. Commun., 41, 959 (1982)
  3. A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)
  4. P.I. Baranskii, O.P. Gorodnichii, N.V. Shevchenko. Infr. Phys., 30, 259 (1990)
  5. Е.И. Георгицэ, В.И. Иванов-Омский, Д.И. Цыпишка. ФТП, 32, 450 (1998)
  6. А.М. Белых, О.В. Романов, Н.Н. Семенов, В.И. Каленик. Матер. II Всесоюзного семинара << Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках>> (Павлодар, 1989) ч. I, с. 20
  7. И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)
  8. И.М. Несмелова, З.К. Тулвинская, Н.С. Барышев. ЖПС, 50, 480 (1989)
  9. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  10. K. Takita, T. Uchino, T. Gochou, K. Masuda. Sol. St. Commun., 61, 535 (1987)
  11. T.R. Gawron, Y. Trylski. Proc 4th Int. Conf. Phys. of Narrow Gap Semicond. (Linz, Austria, 1981) [Lecture Notes in Physics (Springer Verlag, 1982) p. 312]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.