"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние уровня легирования на фотопроводимость пленок микрокристаллического гидрированного кремния
Казанский А.Г.1, Мелл Х.1, Теруков Е.И.1, Форш П.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Исследовано влияние уровня легирования бором пленок микрокристаллического гидрированного кремния на температурные зависимости стационарной фотопроводимости и времени фотоответа. Измерения проведены в области температур 130-450 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Получено, что с ростом уровня легирования величина стационарной фотопроводимости и время фотоответа возрастают. Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей, учитывающая многофазную структуру микрокристаллического кремния и позволяющая удовлетворительно объяснить полученные результаты.
  1. M.J. Williams, C. Wang, G. Lucovsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 219, 389 (1991)
  2. R. Fluckiger, J. Meier, M. Goetz, A. Shah. J. Appl. Phys., 77, 712 (1995)
  3. M. Bruggemann, A. Hierzenberger, R. Reining, M. Rojahn, M.B. Schubert, S. Schweizer, H.N. Wanka, I. Zrinscak. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 982 (1998)
  4. M. Bruggemann, C. Main. Phys. Rev. B, 57, R16080 (1998)
  5. W.E. Spear, H.L. Steemers, P.G. LeComber, R.A. Gibson. Phil. Mag. B, 50, L33 (1984)
  6. P. Kanschat, K. Lips, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 524 (2000)
  7. P. Kanschat, H. Mell, K. Lips, W. Fuhs. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 609, 463 (2000)
  8. F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 511 (2000)
  9. D. Ruff, H. Mell, L. Toth, I. Sieber, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1011 (1998)
  10. А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 34, 373 (2000)
  11. J.M. Essick, J.D. Cohen. Appl. Phys. Lett., 55, 1232 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.