Вышедшие номера
Смешивание электронных состояний Xx и Xy-долин в гетероструктурах AlAs / GaAs(001)
Караваев Г.Ф.1, Чернышов В.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Рассмотрено Xx-Xy-смешивание состояний электронов X-долин в гетероструктурах AlAs / GaAs(001). Получены связанные с симметрией структуры общие условия на параметры матрицы сшивания огибающих функций и предложена модель для описания процессов Xx-Xy-смешивания. Найденная нами структура матрицы сшивания существенно отличается от используемых ранее. Параметры модели определены на основе псевдопотенциальных расчетов. Проведены как модельные, так и псевдопотенциальные расчеты дисперсии уровней в квантовых X-ямах AlAs, электронных спектров сверхрешеток (AlAs)M(GaAs)N(001), коэффициентов прохождения X-электронов в структурах с одной X-ямой и двумя X-барьерами. Хорошее совпадение результатов обоих расчетов показывает эффективность предложенной модели для огибающих функций с определенными нами параметрами.