"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Процессы токопереноса в n+-p-фотодиодах на основе HgCdTe
Гуменюк-Сычевская Ж.В.1, Сизов Ф.Ф.1, Овсюк В.Н.2, Васильев В.В.2, Есаев Д.Г.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 3 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Показано, что темновые токи в важных в прикладном отношении (для микрофотоэлектроники инфракрасного спектрального диапазона 8-12 мкм) гомопереходах Hg1-xCdxTe (x~= 0.21) при температурах 77 K хорошо описываются уравнениями баланса с учетом двух основных механизмов токопереноса: туннелирования через ловушки в запрещенной зоне и рекомбинации через них. Остальные механизмы токопереноса включены в рассмотрение как аддитивные составляющие. Проведено сравнение экспериментальных вольт-амперных характеристик и динамического сопротивления диодов HgCdTe с расчетными зависимостями для них, используя в качестве подгоночных параметров концентрации доноров и акцепторов в n- и p-областях диодов, концентрацию и энергетическое положение ловушек в запрещенной зоне, а также времена жизни носителей на ловушках, и получено хорошее согласие между расчетными и экспериментальными результатами.
  1. E. Fossum, B. Pain. Proc. SPIE, 2020, 262 (1994)
  2. Ph. Tribolet, Ph. Hirel, A. Lussereau, M. Vuillermet. Proc. SPIE, 2552, 369 (1996)
  3. F.F. Sizov. Semiconductor Physics, Quant. Electron. and Optoelectron., 3, 52 (2000)
  4. A. Rogalski. Opt. Eng., 33, 1395 (1994)
  5. L.J. Kozlowski, W.V. McLevige, Sc.A. Cabelli, A.H.B. Vanderwick, D.E. Cooper, E.R. Blazejewski, K. Vural, W.E. Tennant. Opt. Eng., 33, 704 (1994)
  6. C.C. Wang. J. Vac. Sci. Technol., B9, 1724 (1991)
  7. T. Tung, L.V. DeArmond, R.F. Herald, P.E. Herming, M.H. Kalisher, D.A. Olson, R.F. Risser, A.P. Stevens, S.J. Tighe. Proc. SPIE, 1735 109 (1992)
  8. G.N. Pultz, P.R. Norton, E.E. Krueger, M.B. Reine. J. Vac. Sci. Technol., B9, 1724 (1991)
  9. W.W. Anderson, H.J. Hoffman. J. Appl. Phys., 53, 9130 (1982)
  10. J.V. Gumenjuk-Sichevskaja, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Techn., 144, 1124 (1999)
  11. C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  12. C.T. Sah. Phys. Rev., 123, 1594 (1961)
  13. J.P. Lowney, D.G. Siler, C.L. Litter, I.T. Yoon. J. Appl. Phys., 71, 1253 (1992)
  14. W.W. Anderson. Infr. Phys., 17, 147 (1977)
  15. Y. Nemirowski, A. Unikowski. J. Vac. Sci. Technol., B10 (4), 1602 (1992)
  16. A. Ajisawa, N. Oda. J. Electron. Mater., 24 (9), 1105 (1995)
  17. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth., 159, 1161 (1996)
  18. В.В. Васильев, Д.Г. Есаев, А.Ф. Кравченко, В.М. Осадчий, А.О. Сусляков. ФТП, 34 (7), 877 (2000)
  19. J. Yoshino, J. Morimoto, H. Wada, A. Ajisawa, M. Kawano, N. Oda. Proc. SPIE, 3436, 120 (1998)
  20. Y. Nemirowski, D. Rosenfeld, R. Adar, A. Kornfeld. J. Vac. Sci. Technol., B7 (2), 528 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.