"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов
Абрамов И.И.1, Новик Е.Г.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 8 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Описаны три приближения для учета влияния фонового заряда на "островке" в предложенной двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора. С их использованием можно получить хорошее согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик одноэлектронных транзисторов по разработанной модели в самых разнообразных случаях. Показана эффективность применения приближений на конкретных примерах расчета вольт-амперных характеристик транзисторов.
  1. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, ed. by H. Grabert, M.H. Devoret [NATO ASI Series B: Physics (N.Y., Plenum, 1992) v. 294]
  2. И.И. Абрамов, В.Г. Новик. ФТП, 33 (11), 1388 (1999)
  3. M. Amman, K. Mullen. J. Appl. Phys., 65, 339 (1989)
  4. R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett., 72, 61 (1998)
  5. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. ФТП, 34 (8), 1014 (2000)
  6. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Письма ЖТФ 26 (16), 63 (2000)
  7. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
  8. M. Gotz, K. Bluthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker, H. Hegger. J. Appl. Phys., 78, 5499 (1995)
  9. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett., 68, 34 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.