Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 4 » Статья стр. 482
<<<>>>
Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля
Иванов П.А.1, Самсонова Т.П.1, Пантелеев В.Н.1, Поляков Д.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
PDF версия
В 6H-SiC-МОП транзисторе обедненно-обогащенного типа обнаружен и исследован неравновесный эффект поля, обусловленный глубокими поверхностными состояниями на границе раздела SiO2/6H-SiC. Анализ релаксации проводимости канала транзистора (при повышенных температурах) после неравновесного заполнения поверхностных ловушек электронами показал, что эти ловушки распределены по энергиям в виде узкого гауссовского пика в верхней половине запрещенной зоны 6H-SiC: энергия в максимуме распределения EC-Etm=1.19 эВ, уширение пика Delta Et~ 85 мэВ, сечение захвата электронов sigman~ 10-14 см2. Как мы полагаем, данные состояния имеют фундаментальную природу и представляют собой "дефекты окисления" типа Pb- центров в системе SiO2-Si (оборванные кремниевые связи).
  1. A.K. Agarwall, J.B. Casady, L.B. Rowland, W.F. Walek, M.H. White, C.D. Brandt. IEEE Electron Dev. Lett., 18, 586 (1997)
  2. J. Spitz, M.R. Melloch, J.A. Cooper, jr., M.A. Capano. IEEE Electron Dev. Lett., 19, 100 (1998)
  3. J.N. Shenoy, J.A. Cooper, M.R. Melloch. IEEE Electron Dev. Lett., 18, 93 (1997)
  4. R. Singh, S.H. Ryu, J.W. Palmour. Abstracts of the ICSCRM'99, held in Sheraton Imperial Center, Research Triangle Park, NC, October 10--15 (1999) Abstr. No 345
  5. E. Arnold, N. Ramungul, T.P. Chow, M. Ghesso. In: Silicon Carbide, III- Nitrides and Related Materials, ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar, E. Janzen (Trans. Tech. Publications, Ltd, Switzerland, 1998) Part 2, p. 1013
  6. П.А. Иванов, А.О. Константинов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 1172 (1994)
  7. P. Friedrichs, E.P. Burte, R. Schorner. J. Appl. Phys., 79, 7814 (1996)
  8. J.A. Cooper, jr. Phys. St. Sol. (a), 162, 305 (1997)
  9. П.А. Иванов, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова, А.В. Суворов, В.Е. Челноков. ФТП, 27, 1146 (1993)
  10. П.А. Иванов, К.И. Игнатьев, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 23 (20), 55 (1997)
  11. P.A.Ivanov, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev. Semicond. Sci. Technol., 15, 164 (2000)
  12. P.A. Ivanov, K.I. Ignat'ev. In: Silicon Carbide, III- Nitrides and Related Materials, ed. by G. Pensl, H. Morkoc, B. Monemar, E. Janzen (Trans. Tech. Publications, Ltd, Switzerland, 1998) Part 2, p. 809
  13. G.J. Geardi, E.H. Poindexter, P.J. Caplan. Appl. Phys. Lett., 49, 348 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme