"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гашение тока светом в диодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1, Малинин Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследован механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики анизотипной гетероструктуры с контактом Шоттки p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd. Выявленная зависимость I propto V3 объяснена двойной инжекцией носителей в дрейфовом приближении. Обнаружено гашение (уменьшение) прямого тока при освещении светом в интервале lambda=0.7-1.2 мкм. Этот эффект объяснен особенностями захвата световых неосновных носителей, дырок, и их рекомбинации с темновыми электронами.
  1. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 33, 435 (1999)
  2. M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin Sol. Films, 96, 149 (1982)
  3. K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
  4. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ф. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 3, с. 115
  5. F. Stockmann. Zs. Phys., 143, 348 (1955)
  6. C. Popescu, H.K. Henisch. Phys. Rev., 14 (2), 517 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.