Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Гашение тока светом в диодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Исследован механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики анизотипной гетероструктуры с контактом Шоттки p-Si-n+-ZnO-n-ZnO-Pd. Выявленная зависимость I propto V3 объяснена двойной инжекцией носителей в дрейфовом приближении. Обнаружено гашение (уменьшение) прямого тока при освещении светом в интервале lambda=0.7-1.2 мкм. Этот эффект объяснен особенностями захвата световых неосновных носителей, дырок, и их рекомбинации с темновыми электронами.
- С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу. ФТП, 33, 435 (1999)
- M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin Sol. Films, 96, 149 (1982)
- K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ф. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 3, с. 115
- F. Stockmann. Zs. Phys., 143, 348 (1955)
- C. Popescu, H.K. Henisch. Phys. Rev., 14 (2), 517 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
