Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. На первом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. На втором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.
- J.E. Huffman, A.G. Grouse, B.L. Hallek, T.V. Downes, T.L. Herter. J. Appl. Phys., 72, 273 (1992)
- Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, А.М. Козлов, Ж. Леотин, В.В. Рыльков. ФТП, 32, 192 (1998)
- Д.И. Аладашвили, З.А. Адамия, К.Г. Лавдовский, Е.И. Левин, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 213 (1989)
- S.B. Stetson, D.B. Reynolds, M.G. Stapelbroek, R.L. Stermar. Proc. SPIE, 686, 48 (1986)
- D.B. Reynolds, D.H. Seib, S.B. Stetson, T. Herter, N. Rowlands, J. Schoenwald. Trans. Nucl. Sci., 36, 857 (1989)
- R.A. Noel. Proc. SPIE, 1685, 250 (1992)
- M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek, W.A. Kleinhans. Appl. Phys. Lett., 51, 406 (1987)
- J. Kim, Y. Yamamoto, H.H. Hogue. Appl. Phys. Lett., 70, 2852 (1997)
- Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 614 (1999)
- З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств (М., Радио и связь, 1991)
- А.А. Французов, Н.В. Сапожникова, Г.Н. Феофанов. Микроэлектроника, 25, 172 (1996)
- Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33 (8), 1005 (1999)
- P. Norton, T. Braggius, H. Lewinstein. Phys. Rev. B, 8 (12), 563 (1973)
- В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 152 (1978)
- V.D. Shadrin, V.T. Coon, I.K. Blokhin. J. Appl. Phys., 74, 6972 (1993)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1, с. 55
- F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 1 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
