"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью
Есаев Д.Г.1, Синица С.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. На первом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. На втором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.
  1. J.E. Huffman, A.G. Grouse, B.L. Hallek, T.V. Downes, T.L. Herter. J. Appl. Phys., 72, 273 (1992)
  2. Б.А. Аронзон, Д.Ю. Ковалев, А.М. Козлов, Ж. Леотин, В.В. Рыльков. ФТП, 32, 192 (1998)
  3. Д.И. Аладашвили, З.А. Адамия, К.Г. Лавдовский, Е.И. Левин, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 213 (1989)
  4. S.B. Stetson, D.B. Reynolds, M.G. Stapelbroek, R.L. Stermar. Proc. SPIE, 686, 48 (1986)
  5. D.B. Reynolds, D.H. Seib, S.B. Stetson, T. Herter, N. Rowlands, J. Schoenwald. Trans. Nucl. Sci., 36, 857 (1989)
  6. R.A. Noel. Proc. SPIE, 1685, 250 (1992)
  7. M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek, W.A. Kleinhans. Appl. Phys. Lett., 51, 406 (1987)
  8. J. Kim, Y. Yamamoto, H.H. Hogue. Appl. Phys. Lett., 70, 2852 (1997)
  9. Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33, 614 (1999)
  10. З.Ю. Готра. Технология микроэлектронных устройств (М., Радио и связь, 1991)
  11. А.А. Французов, Н.В. Сапожникова, Г.Н. Феофанов. Микроэлектроника, 25, 172 (1996)
  12. Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33 (8), 1005 (1999)
  13. P. Norton, T. Braggius, H. Lewinstein. Phys. Rev. B, 8 (12), 563 (1973)
  14. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 152 (1978)
  15. V.D. Shadrin, V.T. Coon, I.K. Blokhin. J. Appl. Phys., 74, 6972 (1993)
  16. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1, с. 55
  17. F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
  18. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 1 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.