Вышедшие номера
Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью
Есаев Д.Г.1, Синица С.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. На первом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. На втором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.