"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5--4.8 мкм
Стоянов Н.Д.1, Михайлова М.П.1, Андрейчук О.В.1, Моисеев К.Д.1, Андреев И.А.1, Афраилов М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Работа посвящена созданию и исследованию новых длинноволновых фотодиодов на основе гетеропереходов II типа в изопериодных системах GaSb/InGaAsSb/GaInAsSb и GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Подбор последовательности широкозонных и узкозонных слоев в структурах позволяет варьировать условия на границах, характер зонной энергетической диаграммы и, как следствие, параметры фотодиодов. Проведены исследования электрических и фотоэлектрических характеристик и механизмов темнового тока. Выбрана оптимальная конструкция фотодиодной структуры, содержащей два разъединенных гетероперехода II типа и p-n-переход в узкозонной активной области. Получена величина обнаружительной способности при комнатной температуре на длине волны lambda=4.7 мкм D*lambda=4.1· 108 см·Гц1/2/Вт. Показана перспективность использования гетеропереходов II типа для создания высокоэффективных неохлаждаемых фотодиодов диапазона длин волн 1.6--4.8 мкм, необходимых для газового анализа, экологического мониторинга и контроля продуктов горения и взрывов.
  1. A.N. Baranov, N. Bertu, Y. Cumminal, G. Boisser, C. Alibert, A. Joulie. Appl. Phys. Lett., 71, 735 (1997)
  2. Y.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.Y. Bartoli. Appl. Phys. Lett., 67, 757 (1995)
  3. М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 399 (1996)
  4. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1276 (1994)
  5. М.П. Михайлова, Н.М. Стусь, С.В. Слободчиков, Н.В. Зотова, Б.А. Матвеев, Г.Н. Талалакин. ФТП, 30, 1613 (1996)
  6. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова. Письма ЖТФ, 16 (4), 27 (1990)
  7. М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев, И.Н. Ясиевич. ФТП, 24, 1397 (1990)
  8. M.R. Singh, A. Shik, W. Law. Physica E: Low-Dim. Systems and Nanoctructures, 11/12, 49 (1997)
  9. M.P. Mikhailova, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, K.D. Moiseev, S.A. Obuhov, Yu.P. Yakovlev. Superlatt. Microstruct., 24 (1), 105 (1998)
  10. M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  11. Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1316 (1997)
  12. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)
  13. Y. Mao, A. Krier. J. Electron. Mater., 23, 503 (1994)
  14. И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18 (17), 50 (1992)
  15. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (1981)
  16. Infrared Detectors. Catalog (EG \& G Inc., Optoelectronics Group, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.