"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов на основе CdxHg1-xTe
Рыжков В.Н.1, Ибрагимова М.И.2, Барышев Н.С.1
1Федеральный научно-производственный центр "ГИПО", Казань, Россия
2Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследовано влияние наносекундного импульсного излучения неодимового лазера (длительность импульсов tau=10 нс, длина волны lambda=1.06 мкм) при 300 K на параметры фоторезисторов на основе Cd0.19Hg0.81Te. Установлено, что при оптимальной величине плотности энергии W=0.2-0.3 Дж/см2 происходит плавление поверхности с образованием инверсного слоя толщиной 0.04--0.52 мкм; при этом наблюдается рост чувствительности и обнаружительной способности фоторезисторов. Дальнейшее увеличение плотности энергии W приводит к ухудшению параметров фоторезисторов и росту темнового сопротивления.
  1. P.E. Mozol, V.V. Borsch, V.A. Gnatyuk, E.P. Kopishynskaya, A.L. Vlasenko. Semicond. Sci. Techol., 10, 61 (1995)
  2. M.M. Jevtic, M.J. Scepanovic. Appl. Phys. A, 53, 332 (1991)
  3. Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 31, 931 (1997)
  4. Р.М. Баязитов, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. Деп. ВИНИТИ N 4716--81 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.