"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ростовых дислокаций на структуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs и параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе
Лисица М.П.1, Моцный Ф.В.1, Моцный В.Ф.1, Прокопенко И.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Проведены электронно-микроскопические исследования структуры эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs двух типов на подложках полуизолирующего арсенида галлия ориентации < 100>. Измерены низкотемпературные спектры фотолюминесценции и проанализированы их особенности. Показано, что образование ростовых дислокаций в таких структурах существенно влияет на спектры фотолюминесценции и ухудшает параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе.
  1. Ф.В. Моцный. Автореф. докт. дис. (Киев, 1993)
  2. O. Tejayadi, Y.L. Sun, J. Klem, R. Fischer, M.V. Klein, H. Morkoc. Sol. St. Commun., 46, 251 (1983)
  3. V.G. Komarov, F.V. Motsnyi, V.F. Motsnyi, O.S. Zinets. J. Phys. Studies, 2, 555 (1998)
  4. R.N. Bhargava, M.I. Nathan. Phys. Rev., 124, 695 (1967)
  5. В.И. Сугаков. Опт. и спектр., 26, 732 (1969)
  6. Yu.V. Kryuchenko, V.I. Sugakov. Phys. St. Sol. (b), 111, 177 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.