Влияние ростовых дислокаций на структуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs и параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе
Лисица М.П.1, Моцный Ф.В.1, Моцный В.Ф.1, Прокопенко И.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Проведены электронно-микроскопические исследования структуры эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs двух типов на подложках полуизолирующего арсенида галлия ориентации < 100>. Измерены низкотемпературные спектры фотолюминесценции и проанализированы их особенности. Показано, что образование ростовых дислокаций в таких структурах существенно влияет на спектры фотолюминесценции и ухудшает параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе.
- Ф.В. Моцный. Автореф. докт. дис. (Киев, 1993)
- O. Tejayadi, Y.L. Sun, J. Klem, R. Fischer, M.V. Klein, H. Morkoc. Sol. St. Commun., 46, 251 (1983)
- V.G. Komarov, F.V. Motsnyi, V.F. Motsnyi, O.S. Zinets. J. Phys. Studies, 2, 555 (1998)
- R.N. Bhargava, M.I. Nathan. Phys. Rev., 124, 695 (1967)
- В.И. Сугаков. Опт. и спектр., 26, 732 (1969)
- Yu.V. Kryuchenko, V.I. Sugakov. Phys. St. Sol. (b), 111, 177 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук