Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC.
- C.H. Carter, Jr., V.F. Tsvetkov, R.C. Glass, D. Henshall, M. Brady, S.G. Muller, O. Kordina, K. Irvine, J.A. Edmond, H.-S. Kong, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmour. Mater. Sci. Eng. B, 51--62, 1 (1999)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. \& Eng. B, 77, 50 (2000)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина. ФТП, 34, 249 (2000)
- G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. \& Meth., 426, 1 (1999)
- А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 897 (2000)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
- М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
- N.K. Abrossimov, R.P. Deviateriakov, A.G. Kotov, G.F. Mikheev, N.N. Chernov, V.I. Yurchenko. Proc. IIIth all-union conf. on chag. part. accel. (M., 1973) v. 2, p. 94
- Ion implanation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
