Вышедшие номера
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Лебедев А.А.1, Миронов Ю.Т.2, Рябов Г.А.2, Иванов Е.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC.