Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2001, выпуск 4 » Статья стр. 495
<<<>>>
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов
Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Лебедев А.А.1, Миронов Ю.Т.2, Рябов Г.А.2, Иванов Е.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
PDF версия
Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC.
  1. C.H. Carter, Jr., V.F. Tsvetkov, R.C. Glass, D. Henshall, M. Brady, S.G. Muller, O. Kordina, K. Irvine, J.A. Edmond, H.-S. Kong, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmour. Mater. Sci. Eng. B, 51--62, 1 (1999)
  2. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M. Badila. Mater. Sci. \& Eng. B, 77, 50 (2000)
  3. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, Н.С. Савкина. ФТП, 34, 249 (2000)
  4. G. Lindstrom, M. Moll, E. Fretwurst. Nucl. Instrum. \& Meth., 426, 1 (1999)
  5. А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 897 (2000)
  6. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
  7. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 457 (1994)
  8. N.K. Abrossimov, R.P. Deviateriakov, A.G. Kotov, G.F. Mikheev, N.N. Chernov, V.I. Yurchenko. Proc. IIIth all-union conf. on chag. part. accel. (M., 1973) v. 2, p. 94
  9. Ion implanation. Science and Technology, ed. by J.F. Ziegler (Acad. Press. Inc., 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme