"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Краевое поле высоковольтных планарных p-i-n-диодов с неоднородно легированным охранным кольцом
Кюрегян А.С.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Получено точное аналитическое решение задачи о распределении электрического поля в плоском конденсаторе с бесконечно длинной щелью, тонкими электродами и неоднородным поверхностным зарядом на границе диэлектрика, заполняющего конденсатор. Такой конденсатор является хорошей моделью p-i-n-диода с мелкими планарными переходами, стоп-кольцом и слабо легированным охранным кольцом. Показано, что охранное кольцо с изменяющейся вдоль границы раздела полупроводник--вакуум поверхностной плотностью заряда Qs в принципе позволяет уменьшить максимальное значение краевого поля до объемного значения E0. Для этого необходимо, чтобы: а) ширина охранного кольца была по крайней мере в 3 раза больше толщины обедненной области d; b) величина Qs была равна -E0varepsilon0(varepsilon+1/2) во внутренней области охранного кольца и плавно увеличивалась до E0varepsilon0(varepsilon+3/2) (при наличии стоп кольца) или до 0 (при его отсутствии) в полосе шириной не менее d, расположенной на внешней границе охранного кольца. Результаты расчетов применимы также для оптимизации профиля легирования диодов, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе".
  1. B.J. Baliga. Modern power devices (Singapore, 1987) p. 132
  2. V.C. Kao, E.D. Wolley. Proc. IEEE, 55, 1409 (1967)
  3. H. Yilmaz. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-38, 1666 (1991)
  4. K. Hwang, D.H. Navon. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1126 (1984)
  5. R. Stengl, U. Gosele. IEDM Tech. Dig., 154 (1985)
  6. S. Ahmad, J. Akhtar. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-6, 465 (1985)
  7. R. Stengl et al. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 46 (1986)
  8. V. Boisson, M. Le Helley, J.-P. Chante. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 80 (1986)
  9. S. Georgescu, T. Dunca, D. Sdrulla, I. Gupta. Sol. St. Electron., 29, 1035 (1986)
  10. V.K.A. Temple, W. Tanrapourn. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 1601 (1986)
  11. J. Akhtar, S. Ahmad. Sol. St. Electron., 33, 1459 (1990)
  12. P. Austing, J.L. Sanches, R. Berriane. Sol. St. Electron., 39, 593 (1996)
  13. М.А. Лаврентьев, Б.В. Шабат. Методы теории функций комплексного переменного (М., Наука, 1987)
  14. Н.И. Мусхелишвили. Сингулярные интегральные уравнения (М., Наука, 1968) с. 511
  15. S. Merchant et al. Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC's, 1991, p. 31
  16. S. Merchant. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-46, 1264 (1999)
  17. S. Merchant. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-42, 1264 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.