"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe
Васильев В.В.1, Есаев Д.Г.1, Кравченко А.Ф.1, Осадчий В.М.1, Сусляков А.О.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Проведены расчеты в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели характеристик фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с варизонными слоями. Показано, что параметры диодов можно улучшить, если p-n-переход помещать не в центральную гомогенную часть структуры, а в проповерхностную варизонную область. Установлено, что диоды с n-слоем, прилежащим к подложке, имеют преимущество перед диодами с p-слоем у подложки при освещении со стороны подложки.
  1. V.N. Ovsyuk, A.O. Suslyakov, T.I. Zakharyash, S.A. Studenikin, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, V.I. Liberman. Proc. SPIE, 2746, 277 (1996)
  2. В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, В.А. Дворецкий. ФТП, 33, 293 (1999)
  3. K. Kosai, W.A. Radford. J. Vacuum Sci. Technol. A, 8, 1254 (1990)
  4. P.R. Bratt. J. Vacuum Sci. Technol. A, 1, 1687 (1983)
  5. K.M. van Vliet, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 23, 49 (1980)
  6. A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  7. W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.