"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe
Васильев В.В.1, Есаев Д.Г.1, Кравченко А.Ф.1, Осадчий В.М.1, Сусляков А.О.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Проведены расчеты в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели характеристик фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с варизонными слоями. Показано, что параметры диодов можно улучшить, если p-n-переход помещать не в центральную гомогенную часть структуры, а в проповерхностную варизонную область. Установлено, что диоды с n-слоем, прилежащим к подложке, имеют преимущество перед диодами с p-слоем у подложки при освещении со стороны подложки.
  • V.N. Ovsyuk, A.O. Suslyakov, T.I. Zakharyash, S.A. Studenikin, V.V. Vasilyev, Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, V.I. Liberman. Proc. SPIE, 2746, 277 (1996)
  • В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, В.А. Дворецкий. ФТП, 33, 293 (1999)
  • K. Kosai, W.A. Radford. J. Vacuum Sci. Technol. A, 8, 1254 (1990)
  • P.R. Bratt. J. Vacuum Sci. Technol. A, 1, 1687 (1983)
  • K.M. van Vliet, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., 23, 49 (1980)
  • A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  • W.W. Anderson. Infr. Phys., 20, 363 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.