"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние эрбия на электрические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, полученного высокочастотным разложением силана
Теруков Е.И.1, Казанин М.М.1, Коньков О.И.1, Кудоярова В.Х.1, Коугия К.В.2, Никулин Ю.А.2, Казанский А.Г.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

Эрбий был введен в аморфный гидрогенизированный кремний, полученный высокочастотным разложением силана, за счет термического испарения TRIS (2,2,6,6 тетраметил--2.5 гептадионато) Er(III) внутри плазменного промежутка. Полученные образцы обладали выраженной слоистой структурой вследствие истощения источника эрбия: ближайший к подложке, обогащенный эрбием, кислородом и углеродом слой контролировал люминесценцию с длиной волны 1.535 мкм, характерную для внутри атомных переходов эрбия 4I13/2-> 4I15/2, и содержал значительное число дефектов. Верхний слой был значительно менее дефектным и по своим фотоэлектрическим характеристикам приближался к нелегированному a-Si : H и контролировал фотопроводимость полученных образцов. Экспериментальные данные проанализированы в рамках моделей легирования a-Si : H эрбием с образованием проводимости n-типа и формирования гетероперехода по мере роста пленки.
  1. G.S. Pomrenke, P.B. Klein, D.W. Langer. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 301, (1993)
  2. C. Coffa, A. Polman, R.N. Shwartz. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422 (1996)
  3. M.S. Bressler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievitch, B.P. Zakharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67, 3599 (1995)
  4. T. Oestereich, C. Swiatowski, I. Broser. Appl. Phys. Lett., 56, 446 (1990)
  5. J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven, A. Polman, W.G.J.H.M. van Sark, M. Vredenberg. Appl. Phys. Lett., 68, 997 (1996)
  6. A.R. Zanatta, L.A.O. Nunes, L.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70, 511 (1997)
  7. V.B. Voronkov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, N.A. Feoktistov, N.I. Gorshkov, D.N. Suglobov. Phys. Sol. St., 40, 1301 (1998)
  8. Е.И. Теруков, О.И. Коньков, В.Х. Кудоярова, О.Б. Гусев, Г. Вайзер. ФТП, 32, 8 (1998)
  9. R.A. Street. In: Hydrogenated Amorphous Silicon, еd. by R.W. Cahn, E.A. Davis and I.M. Ward (Cambridge University Press, 1991) p. 293
  10. S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
  11. S. Hasegawa, J. Kasajima, T. Shimiru. Phil. Mag. B, 43, 149 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.