Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование фотохимических превращений и фотопотемнения пленок фоторезистов под действием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения

Калитеевская Н.А.¹, Сейсян Р.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 января 2000 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложено теоретическое описание процесса фотохимического превращения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников, в частности AsSe. Проведен анализ результатов экспериментов по исследованию фотопотемнения тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников под действием импульсного излучения ArF-эксимерного лазера с длиной волны излучения 193 нм. Установлено, что для материала AsSe процесс фотохимического превращения характеризуется оптической чувствительностью порядка 3 см³/кДж и пороговой интенсивностью света ~ 17 кДж/см²·с.

V. Mastelaro, S. Benazeth, H. Dexpert. J. de Physique IV, 2 (c2), 195 (1992)
C.J. Benmore, P.S. Salmon. Phys. Rev. Lett., 73 (2), 264 (1994)
V. Lyubin, M. Klebanov, V. Tikhomirov, G. Adriaenssens. Non-Cryst. Sol., 200, p. 2, 719 (1996)
G.J. Adriaenssens, V.K. Tikhomirov, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 230, p. B, 688 (1998)
M. Brun, H. Klewe-Nebenius, G. Pfennig, E. Bychkov, H.J. Ache. Surf. Coat. Technol., 97 (1--3), 707 (1997)
V. Palyok, A. Mishak, I. Szabo, D.L. Beke, A. Kikineshi. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Proc., 68 (4), 489 (1999)
V.M. Lubin, A.M. Sedykh, N.N. Smirnova, V.P. Shilo. Soviet. Microelectronics, 18 (6), 303 (1989)
S.V. Mamedov, M.D. Mikhailov, V.G. Pogoreva, O.A. Yakovuk. Inorganic materials, 23 (11), 1592 (1987)
A.V. Razin. Inorganic materials, 17 (2), 162 (1981)
V. Lyubin, M. Klebanov. Phys. Rev. B, 53 (18), 11 924 (1996)
A.A. Kikineshi, V.I. Mikla, D.G. Semak, M.M. Shiplyak. Ukrainskii Fizicheskii Zhurnal, 28 (5), 786 (1983)
Е.Г. Бараш, А.Ю. Кабин, В.М. Любин, Р.П. Сейсян. ЖТФ, 62 (3), 106 (1992)
Л.Г. Гладышева, Н.А. Калитеевская, Р.П. Сейсян, Д.В. Смирнов. Письма ЖТФ, 22 (15), 91 (1996)
A.V. Legin, E.A. Bychkov, Y.G. Vlasov. Sensors and Actuators B, 15 (1--3), 184 (1993)
E.A. Chandross, E. Reichmanis, C.W. Wilkins et al. Sol. St. Technol., 24 81 (1981)
F.H. Dill, W.P. Hornberger, P.S. Hauge. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-22 (7), 445 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель