Вышедшие номера
Перераспределение эрбия при кристаллизации скрытых аморфных слоев кремния
Александров О.В.1, Николаев Ю.А.1, Соболев Н.А.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Кудрявцев Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследовалось перераспределение Er при его имплантации в кремний с дозами вблизи порога аморфизации и последующей твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. При дозах Er 5· 1013 и 1· 1014 см-2 методом резерфордовского обратного рассеяния обнаружено образование скрытого аморфного alpha-слоя. Сегрегационное перераспределение Er в этом случае происходит навстречу с двух сторон, соответствующих верхней и нижней границам скрытого alpha-слоя, и приводит к образованию концентрационного пика в месте встречи двух фронтов кристаллизации. Предложен метод расчета координатной зависимости коэффициента сегрегации k, исходя из профилей распределения примеси эрбия до и после отжига. На зависимости k(x) обнаружен участок спада, протяженность которого увеличивается с уменьшением дозы имплантации Er. Его появление объясняется неравновесностью сегрегации в начале твердофазной эпитаксиальной кристаллизации.