"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние собственных точечных дефектов на формирование структурных дефектов и оптически активных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием и диспрозием
Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1, Емельянов А.М.2, Вдовин В.И.3, Югова Т.Г.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции и поведение структурных дефектов в слоях, полученных имплантацией ионов Er и Dy с энергией 1.0--1.8 МэВ и дозой 1·1013 см-2, после отжига при температуре 1000-1200oC в течение 0.5--1 ч в аргоне или хлорсодержащей атмосфере. Для изучения структурных дефектов использовались методы просвечивающей электронной микроскопии и химического селективного травления. Наблюдалось, что при отжиге в хлорсодержащей атмосфере в спектрах люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy доминируют линии, связанные с образованием краевых дислокаций, а при отжиге в аргоне слоев Si : Er --- линии, обусловленные наличием эрбия. Сравнительный анализ спектров люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy показал, что наибольшая интенсивность дислокационной люминесценции достигается в структурах, полученных имплантацией ионов эрбия. Выявлено существенное влияние собственных точечных дефектов на структурные и оптические свойства кремния, имплантированного эрбием и диспрозием.
  • Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  • N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)
  • О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
  • N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. J. Luminesc. 80, 357 (1998)
  • V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Nucl. Instrum. Meth. B, 147, 116 (1999)
  • N.A. Sobolev. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques. Ed. by M. Levinstein and M. Shur (Wiley, N.Y., 1997). Chap. 5
  • V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  • S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1889 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.