"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние собственных точечных дефектов на формирование структурных дефектов и оптически активных центров при отжиге кремния, имплантированного эрбием и диспрозием
Соболев Н.А.1, Шек Е.И.1, Емельянов А.М.2, Вдовин В.И.3, Югова Т.Г.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции и поведение структурных дефектов в слоях, полученных имплантацией ионов Er и Dy с энергией 1.0--1.8 МэВ и дозой 1·1013 см-2, после отжига при температуре 1000-1200oC в течение 0.5--1 ч в аргоне или хлорсодержащей атмосфере. Для изучения структурных дефектов использовались методы просвечивающей электронной микроскопии и химического селективного травления. Наблюдалось, что при отжиге в хлорсодержащей атмосфере в спектрах люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy доминируют линии, связанные с образованием краевых дислокаций, а при отжиге в аргоне слоев Si : Er --- линии, обусловленные наличием эрбия. Сравнительный анализ спектров люминесценции слоев Si : Er и Si : Dy показал, что наибольшая интенсивность дислокационной люминесценции достигается в структурах, полученных имплантацией ионов эрбия. Выявлено существенное влияние собственных точечных дефектов на структурные и оптические свойства кремния, имплантированного эрбием и диспрозием.
  1. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  2. N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. Appl. Phys. Lett., 72, 3326 (1998)
  3. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998)
  4. N.A. Sobolev, O.B. Gusev, E.I. Shek, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, A.M. Emel'yanov. J. Luminesc. 80, 357 (1998)
  5. V.I. Vdovin, T.G. Yugova, N.A. Sobolev, E.I. Shek, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin. Nucl. Instrum. Meth. B, 147, 116 (1999)
  6. N.A. Sobolev. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques. Ed. by M. Levinstein and M. Shur (Wiley, N.Y., 1997). Chap. 5
  7. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 51, 10 520 (1995)
  8. S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 68, 1889 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.